公开(公告)号：CN102064146A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010571866.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄欣 ,  张天威 ,  黄芊芊 ,  秦石强 ,  黄如

IPC: H01L23/38 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L23/38 ,  H01L23/3738 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种芯片的散热结构，属于微电子学领域。该散热结构包括在芯片的上表面通过氧化隔离形成的P型和N型超晶格层，P型超晶格和N型超晶格之间通过二氧化硅隔离，P型超晶格通过接触孔与芯片接低电位的金属层电学相连，同时P型超晶格上方形成金属层连接外接电源；N型超晶格通过接触孔与芯片接高电位电源的金属层电学相连，同时N型超晶格上方形成金属层连接外接电源，P型超晶格连接的外接电源电位要低于N型超晶格连接的外接电源。本发明利用超晶格具有低热导率和类似声子局域化行为的特点，能够对芯片散热的同时抑制周围环境热量向芯片的传递。