公开(公告)号：CN103531635B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201310508655.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 史团伟 ,  陈清 ,  许胜勇 ,  徐洪起

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的立式环栅晶体管及其制备方法，结构为：导电沟道材料是垂直于衬底的本征或低掺杂纳米线；在本征或低掺杂纳米线之上并无间隙连接的是低阻纳米线；源电极、栅介质和栅电极依次自下而上包围本征或低掺杂纳米线；源电极和栅介质、栅介质和栅电极在纳米线侧壁处无间隙相连；漏电极包围低阻纳米线；在电极之间有三层隔离层。本发明还提供了上述晶体管制备方法，源电极和栅电极都是采用先镀金属膜，然后以BCB为掩膜腐蚀掉BCB以上金属的方法；低阻纳米线为对本征或低掺杂纳米线重掺杂或者与金属合金的方法获得。该短沟道晶体管结构和制备方法能够制备出沟道较短的器件，并有效减少寄生电阻和寄生电容，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103531635A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310508655.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 史团伟 ,  陈清 ,  许胜勇 ,  徐洪起

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的立式环栅晶体管及其制备方法，结构为：导电沟道材料是垂直于衬底的本征或低掺杂纳米线；在本征或低掺杂纳米线之上并无间隙连接的是低阻纳米线；源电极、栅介质和栅电极依次自下而上包围本征或低掺杂纳米线；源电极和栅介质、栅介质和栅电极在纳米线侧壁处无间隙相连；漏电极包围低阻纳米线；在电极之间有三层隔离层。本发明还提供了上述晶体管制备方法，源电极和栅电极都是采用先镀金属膜，然后以BCB为掩膜腐蚀掉BCB以上金属的方法；低阻纳米线为对本征或低掺杂纳米线重掺杂或者与金属合金的方法获得。该短沟道晶体管结构和制备方法能够制备出沟道较短的器件，并有效减少寄生电阻和寄生电容，提高器件的性能。