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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118599091A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410818142.2
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本公开提出一种D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑28的支链烷基；Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种；a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。通过将共轭断裂间隔物链段引入吡咯并吡咯二酮基半导体聚合物的分子结构中，以提升聚合物的可拉伸性能与迁移率，同时改善其可降解性能，满足高迁移率与高可拉伸性的应用需求。
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公开(公告)号：CN118599092A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410818144.1
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C08G61/12
Abstract: 本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用，属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下：#imgabs0#其中，R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基，Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种，a和b选自0‑1之间的小数，且a与b之和等于1，n代表聚合物的重复单元个数，选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中，以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。
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公开(公告)号：CN117939977A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105573.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成氧化层；在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的半导体溶液；将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的半导体溶液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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公开(公告)号：CN118742051A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410818146.0
申请日：2024-06-24
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开提出一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用，属于柔性电子器件技术领域。柔性瞬态电子器件包括：第一衬底；栅电极，设置于所述第一衬底表面；栅绝缘层，设置于所述栅电极表面且覆盖栅电极；源极与漏极，间隔设置于栅绝缘层表面；有机半导体层，至少覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域；其中，有机半导体层为含双酯基共轭断裂间隔物的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物。本公开通过引入功能化的聚合物作为有机半导体层材料，能够实现柔性(如：可拉伸、可折叠、可扭曲等)与瞬态可降解性能的兼容，开发出柔性瞬态电子器件，有望促进其在信息安全设备领域和可穿戴设备领域的发展和应用。
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公开(公告)号：CN117939976A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105363.5
申请日：2024-01-25
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件，包括：提供基底；在基底上表面形成栅绝缘层；在栅绝缘层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的共混液；将共混液旋涂于栅绝缘层上表面，并干燥处理形成有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的共混液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
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