公开(公告)号：CN117939976A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410105363.5

申请日：2024-01-25

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 吴倜 ,  谭琳 ,  俞朝晖 ,  刘省珍 ,  曹龙 ,  李永鹏

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K10/46

Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机电子器件的制备方法及电子器件，包括：提供基底；在基底上表面形成栅绝缘层；在栅绝缘层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的共混液；将共混液旋涂于栅绝缘层上表面，并干燥处理形成有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的共混液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。

公开(公告)号：CN117939977A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410105573.4

申请日：2024-01-25

Applicant: 北京印刷学院

Inventor： 吴倜 ,  谭琳 ,  俞朝晖 ,  刘省珍 ,  曹龙 ,  李永鹏

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K10/46

Abstract: 本公开的实施例提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：提供衬底；在所述衬底上表面形成氧化层；在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极；配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的半导体溶液；将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层。由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的半导体溶液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。