一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118742051A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410818146.0

    申请日:2024-06-24

    Abstract: 本公开提出一种柔性瞬态电子器件及其制备方法与应用,属于柔性电子器件技术领域。柔性瞬态电子器件包括:第一衬底;栅电极,设置于所述第一衬底表面;栅绝缘层,设置于所述栅电极表面且覆盖栅电极;源极与漏极,间隔设置于栅绝缘层表面;有机半导体层,至少覆盖源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区域;其中,有机半导体层为含双酯基共轭断裂间隔物的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物。本公开通过引入功能化的聚合物作为有机半导体层材料,能够实现柔性(如:可拉伸、可折叠、可扭曲等)与瞬态可降解性能的兼容,开发出柔性瞬态电子器件,有望促进其在信息安全设备领域和可穿戴设备领域的发展和应用。

    D-A-D-C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及合成方法与应用

    公开(公告)号:CN118599091A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410818142.2

    申请日:2024-06-24

    Abstract: 本公开提出一种D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用,属于半导体材料技术领域。D‑A‑D‑C结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构式如下:#imgabs0#其中,R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑28的支链烷基;Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种;a和b选自0‑1之间的小数,且a与b之和等于1,n代表聚合物的重复单元个数,选自1‑5000的自然数。通过将共轭断裂间隔物链段引入吡咯并吡咯二酮基半导体聚合物的分子结构中,以提升聚合物的可拉伸性能与迁移率,同时改善其可降解性能,满足高迁移率与高可拉伸性的应用需求。

    热敏产酸型自由基聚合单体及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN115960022A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202210601735.4

    申请日:2022-05-30

    Inventor: 冯宇光 刘省珍

    Abstract: 本发明提供一种热敏产酸型自由基聚合单体及其制备方法、应用,属于氨基脲类热敏产酸聚合单体的合成及应用技术领域。本发明的制备方法包括:在第一预设温度下,将对甲苯磺酰肼溶解于极性溶剂中,形成第一溶液;在第二预设温度下,所述第一溶液中滴加单异氰酸酯类不饱和单体,并在第三预设温度下保温,以得到生成物体系;所述生成物体系经冷却、后处理,以得到所述热敏产酸型自由基聚合单体。本发明合成工艺简单、使用的溶剂可回收利用,减少对环境的污染,采用的原料成本低廉,形成的热敏产酸型自由基聚合单体为大分子,包括自由基聚合官能团结构与对甲苯磺酰肼的结构,具有热敏分解产酸,释放氮气的性能以及聚合性能。

    一种氧化叔胺环氧酚醛树脂及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN113637129A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202010329685.X

    申请日:2020-04-23

    Inventor: 冯宇光 吴倜

    Abstract: 本发明提供一种氧化叔胺环氧酚醛树脂及其制备方法、应用。其中,制备步骤包括:将预设环氧酚醛树脂溶解在溶于水的极性溶剂中,形成环氧酚醛树脂溶液。将质子酸开环试剂在冰水浴且温度不高于10℃中逐滴加入至环氧酚醛树脂溶液中,之后在室温下进行反应,形成叔胺基环氧酚醛树脂溶液。将氧化剂滴加至上述溶液进行氧化反应,形成氧化叔胺环氧酚醛树脂。本发明可实现环氧基灵活开环,并且整个反应过程均不需要升温加热过程,能耗较低。此外,通过控制环氧基与氧化叔氨基的配比,可调节产物在不同溶剂中的溶解性,扩宽了产物的应用范围。本发明的氧化叔胺环氧酚醛树脂具有氧化叔氨基、环氧基以及酚羟基,可应用于印刷CTP印版涂层与3D打印。

    D-A-C-A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及合成方法与应用

    公开(公告)号:CN118599092A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410818144.1

    申请日:2024-06-24

    Abstract: 本公开提出一种D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物及其合成方法与应用,属于半导体材料技术领域。D‑A‑C‑A结构的吡咯并吡咯二酮基三元聚合物的结构通式如下:#imgabs0#其中,R为碳原子总数为1‑10的直链烷基或碳原子总数为10‑32的支链烷基,Ar为芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种,a和b选自0‑1之间的小数,且a与b之和等于1,n代表聚合物的重复单元个数,选自1‑5000的自然数。本公开通过将该共轭断裂间隔物链段引入D‑A型半导体聚合物的分子结构中,以此达到改善其可拉伸性能、迁移率和可降解性能的目的。

    热敏产酸剂及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN113896663A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111271725.0

    申请日:2021-10-29

    Inventor: 冯宇光 安粒

    Abstract: 本发明提供一种热敏产酸剂及其制备方法、应用,属于热敏印刷材料技术领域。其中,本发明的热敏产酸剂的制备方法包括:将甲苯磺酰肼溶于溶剂中加热至预设温度,以将体系配成澄清溶液,在所述澄清溶液中滴加液体的醛或酮进行反应,以得到所述热敏产酸剂。本发明的制备方法中所使用的的原料为普通的醛类或酮类以及对甲苯磺酰肼,其成本低廉,减少对环境的污染。另外,本发明得到的热敏产酸剂可作为印刷热敏CTP印版涂层添加剂,在红外激光扫射下的涂层呈现出良好的碱溶性,有效提高了印版涂层的感度,进而提高了印版影像的反差,同时,保持了印版非影像区域的抗碱性,并且不污染显影液。

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