一种高光密度绿光量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN116574500A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310611903.2

    申请日:2023-05-26

    发明人: 赵治强 高晓斌

    摘要: 本发明公开了一种高光密度绿光量子点的制备方法,包括使用锌源与硒前驱体制备第一量子点核,然后通过阳离子交换和合金化反应形成第二量子点核,然后依次包覆CdZnSe过渡层、ZnSeS过渡层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过第一、第二量子点核的制备,控制阳离子交换和合金化反应,得到有利于高光密度的绿光量子点核,通过过渡壳层的设定,减小了量子点晶格的缺陷,制备出发射波长可控、半峰宽窄、荧光效率高,光密度高的绿光量子点。采用该量子点制得的量子点膜,达到相同色坐标的情况下,量子点的用量大幅度减少,与常规绿光量子点相比,在超薄量子点膜片应用条件下,表现出更高的蓝光吸收与转换效率。

    一种高光密度绿光量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN116574500B

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310611903.2

    申请日:2023-05-26

    发明人: 赵治强 高晓斌

    摘要: 本发明公开了一种高光密度绿光量子点的制备方法,包括使用锌源与硒前驱体制备第一量子点核,然后通过阳离子交换和合金化反应形成第二量子点核,然后依次包覆CdZnSe过渡层、ZnSeS过渡层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过第一、第二量子点核的制备,控制阳离子交换和合金化反应,得到有利于高光密度的绿光量子点核,通过过渡壳层的设定,减小了量子点晶格的缺陷,制备出发射波长可控、半峰宽窄、荧光效率高,光密度高的绿光量子点。采用该量子点制得的量子点膜,达到相同色坐标的情况下,量子点的用量大幅度减少,与常规绿光量子点相比,在超薄量子点膜片应用条件下,表现出更高的蓝光吸收与转换效率。

    一种磷化铟量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN118165730B

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410591588.6

    申请日:2024-05-13

    发明人: 赵治强 高晓斌

    摘要: 本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种磷化铟量子点及其制备方法。本发明提供的一种磷化铟量子点的制备方法,包括如下步骤,S1,将有机溶剂、脂肪胺、卤化锌、卤化铟与硒化锌纳米晶溶液混合,得到混合液,其中硒化锌纳米晶溶液中硒化锌纳米晶为提纯后的纳米晶;S2,在惰性气氛中,向步骤S1得到的混合液中加入膦源,在第一反应温度下反应,形成第一量子点反应液;S3,向第一量子点反应液中加入硒的前驱体,形成第二量子点反应液;S4,对第二量子点反应液中量子点进行壳层包覆、提纯得到磷化铟量子点。本发明能够制得粒径均一的磷化铟量子点核,得到的量子点半峰宽窄、量子效率高。

    一种量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN112680214B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202011563056.X

    申请日:2020-12-25

    IPC分类号: C09K11/02 C09K11/88

    摘要: 本发明公开了一种量子点的制备方法,先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层,然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置,巩固核与壳层之间的联系,有效控制核及各壳层之间的过渡,减小晶格之间的缺陷;通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成,从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度,补加阴离子进行晶种的长大成核,形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构,之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层,减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力,制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。

    一种磷化铟量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN118165730A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410591588.6

    申请日:2024-05-13

    发明人: 赵治强 高晓斌

    摘要: 本发明涉及半导体材料技术领域,具体涉及一种磷化铟量子点及其制备方法。本发明提供的一种磷化铟量子点的制备方法,包括如下步骤,S1,将有机溶剂、脂肪胺、卤化锌、卤化铟与硒化锌纳米晶溶液混合,得到混合液,其中硒化锌纳米晶溶液中硒化锌纳米晶为提纯后的纳米晶;S2,在惰性气氛中,向步骤S1得到的混合液中加入膦源,在第一反应温度下反应,形成第一量子点反应液;S3,向第一量子点反应液中加入硒的前驱体,形成第二量子点反应液;S4,对第二量子点反应液中量子点进行壳层包覆、提纯得到磷化铟量子点。本发明能够制得粒径均一的磷化铟量子点核,得到的量子点半峰宽窄、量子效率高。

    一种量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN112680214A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011563056.X

    申请日:2020-12-25

    IPC分类号: C09K11/02 C09K11/88

    摘要: 本发明公开了一种量子点的制备方法,先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层,然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置,巩固核与壳层之间的联系,有效控制核及各壳层之间的过渡,减小晶格之间的缺陷;通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成,从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度,补加阴离子进行晶种的长大成核,形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构,之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层,减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力,制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。

    一种量子点、量子点复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114479834B

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210308705.4

    申请日:2022-03-28

    摘要: 本发明公开了一种量子点,所述量子点为核壳结构,具体为CdZnSeS/CdZnSe/CdZnS/ZnS;所述CdZnS壳和ZnS壳之间,ZnS壳外均含有金属卤化物配体。本发明还公开了上述量子点的制备方法及上述量子点制得的量子点复合材料。本发明公开的量子点半峰宽窄、光学性能优异、稳定性好;其制备方法中间壳层采用阴阳离子交替生长的方法,同时除了引入金属卤化物前驱体,外壳还加入长链烷醇,进一步提高稳定性。本发明公开的量子点复合材料以有机聚合物作为包裹物,不仅保持了原量子点优异的光学性能,而且在耐高温性能上相比原量子点具有重大改善,采用此方法制备的量子点复合材料制得的量子点扩散板具有优异的稳定性能。

    一种量子点、量子点复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114479834A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210308705.4

    申请日:2022-03-28

    摘要: 本发明公开了一种量子点,所述量子点为核壳结构,具体为CdZnSeS/CdZnSe/CdZnS/ZnS;所述CdZnS壳和ZnS壳之间,ZnS壳外均含有金属卤化物配体。本发明还公开了上述量子点的制备方法及上述量子点制得的量子点复合材料。本发明公开的量子点半峰宽窄、光学性能优异、稳定性好;其制备方法中间壳层采用阴阳离子交替生长的方法,同时除了引入金属卤化物前驱体,外壳还加入长链烷醇,进一步提高稳定性。本发明公开的量子点复合材料以有机聚合物作为包裹物,不仅保持了原量子点优异的光学性能,而且在耐高温性能上相比原量子点具有重大改善,采用此方法制备的量子点复合材料制得的量子点扩散板具有优异的稳定性能。