本发明公开了一种量子点的制备方法，先制得ZnCdSe晶种后在其上生长ZnSe过渡层，然后依次包覆ZnSe壳层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过ZnSe过渡层的设置，巩固核与壳层之间的联系，有效控制核及各壳层之间的过渡，减小晶格之间的缺陷；通过脂肪酸抑制量子点中其他晶种的形成，从而控制量子点晶种的成分、大小与均一度，补加阴离子进行晶种的长大成核，形成表面具有ZnSe过渡层的量子点核结构，之后依次外延生长ZnSe壳层和ZnS壳层，减小混晶结构核各组分之间、核与壳之间的晶格应力，制备的量子点可见光内峰位可调、半峰宽窄、量子效率高。