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公开(公告)号：CN116259668A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310132294.2
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/66
Abstract: 本申请涉及一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域，该结构包括：设置在衬底上的源极和漏极；其中，源极、漏极之间的间隔区域设置有有源层；漏极与有源层接触的一侧设置有漏极隔离层。本申请通过在有源层中靠近漏极一端制备绝缘层，从而达到降低薄膜晶体管在关态时漏电流的目的，从而解决薄膜晶体管在保持阶段液晶偏压不稳定的问题。
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