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公开(公告)号：CN111952266B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202010654703.1
申请日：2020-07-09
Applicant: 北京信息科技大学
Inventor： 殷树娟
Abstract: 本发明公开了一种电容，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、直流电源；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接。本发明还公开了一种电路元件，包括第一电容、第二电容；所述第一电容和第二电容各自包括：MOSFET、直流电源；MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接；其中，所述第一电容与所述第二电容中的MOSFET的类型不同；第一电容与第二电容串联。
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公开(公告)号：CN114253342A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202210096165.8
申请日：2022-01-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本申请公开了一种稳压电路和一种放大电路，该稳压电路包括：电流源、第一NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极连接后的共同引出端通过所述电流源与第一外部电源连接；所述第二NMOS晶体管的漏极与第二外部电源连接；所述第一NMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的源极连接；所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一PMOS晶体管的漏极连接后的共同引出端接地；所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的源极连接后的共同引出端作为所述稳压电路的输出端；其中，所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，分别设置为工作在亚阈值区。该稳压电路能够将输出电压钳位在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的阈值电压绝对值之和。
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公开(公告)号：CN104750638B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201310750197.6
申请日：2013-12-30
IPC: G06F13/20
Abstract: 本发明公开了一种接口适配器及与Wishbone兼容的裁剪方法，涉及系统芯片SOC设计以及IP复用设计。本发明公开的接口适配器，至少包括隔离单元和状态机单元，其中：状态机单元，根据主控制器信号和本接口适配器内其他各单元的信号执行整个裁剪过程中各个状态之间的跳转操作，并在裁剪的不同阶段控制所述隔离单元将wishbone接口的从设备的输入输出信号钳位在固定值。本发明还公开了一种与Wishbone兼容的裁剪方法。本申请技术方案适用于可裁剪、低功耗、高能效、即插即用的SOC系统设计，可实现满足异质多功能模块SOC灵活配置。
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公开(公告)号：CN111952266A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010654703.1
申请日：2020-07-09
Applicant: 北京信息科技大学
Inventor： 殷树娟
Abstract: 本发明公开了一种电容，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、直流电源；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接。本发明还公开了一种电路元件，包括第一电容、第二电容；所述第一电容和第二电容各自包括：MOSFET、直流电源；MOSFET的源极与漏极连接后的共同引出端作为所述电容的第一极板；所述MOSFET的栅极作为所述电容的第二极板，所述MOSFET的栅极通过直流电源与所述MOSFET的衬底连接；其中，所述第一电容与所述第二电容中的MOSFET的类型不同；第一电容与第二电容串联。
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公开(公告)号：CN105912769A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610217650.0
申请日：2016-04-08
Applicant: 北京信息科技大学
Inventor： 殷树娟
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5022
Abstract: 一种实现电路仿真的方法和装置，包括：根据电路的所有工艺电压温度PVT组合中的两个或两个以上PVT组合，获取高斯过程模型GPM中的超参数；根据获得的超参数采用GPM获取电路的所有PVT组合对应的特征参数；通过比较所有PVT组合的特征参数得到最坏情况的PVT组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119004555B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411114110.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于标签技术的安全处理器，涉及处理器技术领域。包括：标签传播和管理：在数据存储或传输时，为每个数据单元分配标签，利用标签传播与更新机制，对标签信息进行管理；标签检查和决策：安全处理器在执行标签信息的指令时，检查数据的标签信息，根据预定义的安全策略决定是否启用安全机制。本发明能够显著提升安全处理器的执行效率，为各种应用场景提供坚实的安全基础。
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公开(公告)号：CN117785735A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311695658.4
申请日：2023-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F12/0811 , G06F12/0844
Abstract: 本发明公开了一种基于标签缓存的标签式存储结构及方法，涉及处理器芯片技术领域。本发明包括：数据缓存、主存储器和标签缓存；所述数据缓存位于CPU与总线之间，所述标签缓存位于总线和主存储器之间；所述数据缓存用于对缓存运行中的数据部分拓展出标签位；所述主存储器用于划分出数据存储与标签存储的两个区域。本发明对存在读写效率低(多次读写)的问题，通过在CPU总线与主存之间引入一个新的缓存Tag Cache，用相对较小的电路开销和较小的性能影响，极大地提升了读写效率。
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公开(公告)号：CN116259668A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310132294.2
申请日：2023-02-17
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/66
Abstract: 本申请涉及一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域，该结构包括：设置在衬底上的源极和漏极；其中，源极、漏极之间的间隔区域设置有有源层；漏极与有源层接触的一侧设置有漏极隔离层。本申请通过在有源层中靠近漏极一端制备绝缘层，从而达到降低薄膜晶体管在关态时漏电流的目的，从而解决薄膜晶体管在保持阶段液晶偏压不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN104750638A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750197.6
申请日：2013-12-30
IPC: G06F13/20
CPC classification number: Y02D10/14 , Y02D10/151
Abstract: 本发明公开了一种接口适配器及与Wishbone兼容的裁剪方法，涉及系统芯片SOC设计以及IP复用设计。本发明公开的接口适配器，至少包括隔离单元和状态机单元，其中：状态机单元，根据主控制器信号和本接口适配器内其他各单元的信号执行整个裁剪过程中各个状态之间的跳转操作，并在裁剪的不同阶段控制所述隔离单元将wishbone接口的从设备的输入输出信号钳位在固定值。本发明还公开了一种与Wishbone兼容的裁剪方法。本申请技术方案适用于可裁剪、低功耗、高能效、即插即用的SOC系统设计，可实现满足异质多功能模块SOC灵活配置。
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公开(公告)号：CN119004555A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411114110.0
申请日：2024-08-14
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于标签技术的安全处理器，涉及处理器技术领域。包括：标签传播和管理：在数据存储或传输时，为每个数据单元分配标签，利用标签传播与更新机制，对标签信息进行管理；标签检查和决策：安全处理器在执行标签信息的指令时，检查数据的标签信息，根据预定义的安全策略决定是否启用安全机制。本发明能够显著提升安全处理器的执行效率，为各种应用场景提供坚实的安全基础。
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