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公开(公告)号:CN119072211A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202411256391.3
申请日:2024-09-09
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H10N30/01 , G01D5/12 , G01L1/16 , G01L9/08 , G01P15/09 , H10N30/077 , H10N30/30 , H10N30/853
Abstract: 本发明涉及柔性传感器技术领域,具体公开了一种SNN/PVDF柔性压电传感器及其制备。所述制备方法具体包括利用传统固相烧结法制备SNN压电陶瓷,然后选用流延工艺制备SNN/PVDF压电薄膜,再经过镀电极、极化、封装等一系列步骤获得SNN/PVDF柔性压电传感器。本发明提供的SNN/PVDF柔性压电传感器具有压电性良好、灵敏度高、可快速响应等特点,且对环境友好。