公开(公告)号：CN118392825A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410323959.2

申请日：2024-03-20

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  廖杰 ,  鹿利单 ,  董明利 ,  陈光 ,  陈伟强

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/01 ,  G01J3/45

Abstract: 本申请涉及片上单模光波导测量领域，公开了一种片上单模光波导有效折射率的测量方法，包括以下步骤：S1、提供一个测量系统；S2、输入光，并获取两个马赫曾德干涉结构的归一化光谱；S3、在相同波段内，记录光谱中多个连续波谷的波长值；S4、确定第一马赫曾德干涉结构第一个波谷的级次系数K；S5、利用级次系数K，构建第一和第二散点集，并计算对应的有效折射率；S6、对相同K取值时的第一和第二散点集进行合并，并进行曲线拟合；S7、通过比较不同K值时的曲线拟合度，确定最高拟合度对应的K值。本发明能够高效地确定片上单模波导有效折射率的实际值和干涉光谱中波谷的级次，解决了片上单模波导有效折射率难以准确测量的问题。

公开(公告)号：CN116518863A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310323904.7

申请日：2023-03-29

Applicant: 北京信息科技大学 ,  广州市南沙区北科光子感知技术研究院

Inventor： 袁配 ,  姬星辰 ,  祝连庆 ,  鹿利单 ,  廖杰 ,  喻靖

IPC: G01B11/16 ,  G01K11/00 ,  G01L1/24 ,  G02B6/125

Abstract: 本发明提供了一种集成芯片式平面光波导应变传感器，包括衬底和上包层，以及在所述衬底和所述上包层之间的波导层，其中，波导层通过光刻的方式在晶片表面制备，包括光波导温度传感器、第一光波导应变传感器、第二光波导应变传感器、第三光波导应变传感器和光波导分束器；光波导温度传感器与第一光波导应变传感器、第二光波导应变传感器和第三光波导应变传感器中的任一光波导应变传感器串联，第一光波导应变传感器与第三光波导应变传感器垂直，第二光波导应变传感器间于第一光波导应变传感器和第三光波导应变传感器之间。本发明尺寸将被大幅度缩小，分辨率更高；体积更小，局部测量更精确；引线更少，质量更轻，组成应变花的优势更加明显。