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公开(公告)号:CN117970715A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410275912.3
申请日:2024-03-11
申请人: 北京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09G3/36
摘要: 本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板以及电子设备。该阵列基板包括:多条栅线、多条数据线、多个像素和多个像素开关,多条数据线中相邻两条数据线之间包括两列像素,多个像素和多条数据线呈Z反转的方式连接;同一列像素对应的颜色相同,同一行像素中连续排布的三个像素分别对应三种不同的颜色,多个像素到与多个像素相连的数据线之间的距离包括第一距离和第二距离两种类型,对于同一数据线,第一距离与第二距离的数量相同,本申请实施例的阵列基板、显示面板以及电子设备,可以提高混色画面下不同列的像素亮度均一性,减少混色画面的竖纹问题的发生。
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公开(公告)号:CN117896997A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410082598.7
申请日:2024-01-19
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号: H10K59/12 , G09G3/3266 , H10K59/131 , H10K59/82 , H01L27/12
摘要: 本公开提供一种显示基板和显示装置,属于显示技术领域。本公开的显示基板包括显示区和环绕显示区的周边区,周边区包括位于显示区一侧的绑定区;其中,显示基板包括位于显示区的多个像素单元,位于周边区的多个栅极驱动电路,以及位于绑定区的两组连接焊盘;位于同一行的像素单元由位于显示区两侧的两个栅极驱动电路提供栅极驱动信号;位于显示区一侧的栅极驱动电路中的信号线连接一组连接焊盘,连接焊盘被配置为与驱动芯片绑定连接,用于将驱动芯片所提供的驱动信号传输给响应的信号线;至少部分位于不同组、且用于传输相同驱动信号的连接焊盘电连接。
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公开(公告)号:CN117832228A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410009994.7
申请日:2024-01-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要: 一种阵列基板及触控显示装置。所述阵列基板包括多个第一子像素,多个第一子像素包括补偿子像素和参考子像素,补偿子像素包括第一像素电极和第一公共电极,第一公共电极包括被间隔区分隔开的两部分,间隔区在阵列基板正投影位于第一像素电极在阵列基板正投影之内;参考子像素包括第二像素电极和第二公共电极,第一公共电极和第二公共电极均被复用为触控电极;第一像素电极与第一公共电极在阵列基板的正投影具有第一交叠面积;第二像素电极与第二公共电极在阵列基板的正投影具有第二交叠面积,第一交叠面积与第二交叠面积之差的绝对值小于或者等于第一交叠面积与第二交叠面积中较小面积的4%,可以改善暗线等问题。
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公开(公告)号:CN118556220A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202280005271.9
申请日:2022-12-26
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: G06F3/041
摘要: 本公开提供一种显示基板和显示装置。所述显示基板包括衬底基板,所述衬底基板包括IC(集成电路)区域,所述IC区域包括第一电极设置区域和第一晶体管设置区域;所述显示基板包括设置于所述第一电极设置区域内的多行多列第一触控电极,以及,设置于所述第一晶体管设置区域的多个第一转接晶体管;所述第一触控电极与相应的第一转接晶体管电连接;所述显示数据接入电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一触控电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。本公开能够在触控电极的数目增加时合理布局触控电极。
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公开(公告)号:CN117348753A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202210752815.X
申请日:2022-06-28
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: G06F3/041
摘要: 本公开提供了一种触控显示面板以及电子设备,该触控显示面板至少包括显示区以及围绕显示区设置的周边区,周边区至少包括走线区和绑定区,走线区至少包括走线,绑定区包括:依次排列的多个输入单元,每个输入单元中至少包括按阵列排布的M个显示引脚和N个触控引脚;其中,阵列包括N行,在阵列的每一行中均设置有触控引脚,M和N均为正整数。本公开通过触控显示面板中绑定区内引脚的布局方式,使触控引脚可以均匀分布在每一行中,提升触控引脚在所有引脚中所占的比例,使单颗IC可支持的触控通道数量增加,进而达到提升触控显示产品的触控效果和触控灵敏度的目的。
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公开(公告)号:CN108564912B
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN201810350029.0
申请日:2018-04-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/36 , G11C19/28
摘要: 本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种移位寄存器电路、一种移位寄存器电路的驱动方法、显示装置。该电路可以包括:第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元、第四开关单元、第五开关单元、第六开关单元、第七开关单元、第八开关单元。本公开可避免在切换扫描方向后,出现某一级移位寄存器单元无法达到足够的开启电压而无输出信号的现象,从而避免出现显示异常的现象;此外,通过第一开关单元至第八开关单元提高了移位寄存器电路的信耐度。
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公开(公告)号:CN105845737B
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201610327734.X
申请日:2016-05-17
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/12
CPC分类号: H01L29/78696 , H01L21/223 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置,属于显示技术领域。薄膜晶体管包括:衬底基板,衬底基板上形成有栅极;形成有栅极的衬底基板上形成有栅绝缘层;形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有有源层和源漏极金属图案,有源层包括多晶硅图案和位于多晶硅图案上的非晶硅图案;其中,源漏极金属图案包括源极和漏极,源极分别与多晶硅图案和非晶硅图案接触,漏极分别与多晶硅图案和非晶硅图案接触。本发明解决了薄膜晶体管的开态电流较小,充电率较低的问题,达到了增大薄膜晶体管的开态电流,提高充电率的效果。本发明用于阵列基板。
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公开(公告)号:CN106057667B
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201610525835.8
申请日:2016-07-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: H01L21/3213 , G03F1/76
摘要: 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置,用以解决现有技术中存在湿刻形成的电极图案发生断线及线宽存在偏差的问题。具体地,在第一膜层与光刻胶膜层之间制作一层粘性补偿膜层,由于粘性补偿膜层与第一膜层之间的粘附性以及粘性补偿膜层与光刻胶膜层之间的粘附性均大于第一膜层与光刻胶膜层之间的粘附性,从而,保证相邻膜层之间的贴合程度较好,不会出现缝隙,这样,防止刻蚀液从侧向渗入而导致第一膜层的图案产生断线,而且,还可以保证刻蚀工艺过程中刻蚀程度近乎一致,从而避免由于刻蚀程度不同而导致形成的膜层图案的临近尺寸发生偏差。
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公开(公告)号:CN108598040A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201710142461.6
申请日:2017-03-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: H01L21/77 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336
摘要: 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、驱动晶体管、显示面板,属于显示技术领域。阵列基板包括像素电路和有机发光二极管,像素电路包括:驱动晶体管和开关晶体管,驱动晶体管包括第一有源介质,开关晶体管包括第二有源介质,第一有源介质和第二有源介质均为多晶硅,且第一有源介质的晶粒尺寸小于第二有源介质的晶粒尺寸。本申请解决了OLED显示面板的显示效果较差的问题,提高了OLED显示面板的显示效果,本申请用于显示面板。
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公开(公告)号:CN108417490A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810215208.3
申请日:2018-03-15
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: H01L21/306 , H01L27/12
摘要: 本发明提供一种蚀刻金属工件以使之具有所需外形的方法和显示面板的制作方法,蚀刻金属工件的方法包括:对蚀刻液施加沿第一方向的第一电场,以改变蚀刻液中的金属离子浓度在所述第一方向上的分布,进而改变所述金属工件的表面在所述第一方向上的不同位置的蚀刻速度。本发明利用铜刻蚀机理中腐蚀电位的原理,在刻蚀过程中,利用电场引导金属离子在刻蚀液中形成浓度梯度或浓度分布,从而达到改变金属层不同位置的刻蚀速率、改善金属线坡度角的目的,提高刻蚀均一性和产品良率。
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