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公开(公告)号：CN110085142B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910401040.X
申请日：2019-05-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法，通过在第一线圈和第二线圈形成脉冲取向磁场，使量子点磁性纳米粒子混合结构被磁化，然后仅在第一线圈形成与脉冲取向磁场方向相反的脉冲驱动磁场，脉冲驱动磁场驱动磁化后的量子点磁性纳米粒子混合结构向发光区域方向移动，通过对第一线圈和第二线圈反复施加脉冲取向磁场和脉冲驱动磁场，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构通过超滤膜的过孔移动至发光区域，采用激光发射器照射该发光区域，实现量子点发光；根据发光亮度的要求，控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号的方向和大小，来控制发光区域内量子点磁性纳米粒子混合结构的浓度，实现发出不同强度的光。
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公开(公告)号：CN110085142A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910401040.X
申请日：2019-05-15
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种量子点发光结构、显示面板、显示装置及其显示方法，通过在第一线圈和第二线圈形成脉冲取向磁场，使量子点磁性纳米粒子混合结构被磁化，然后仅在第一线圈形成与脉冲取向磁场方向相反的脉冲驱动磁场，脉冲驱动磁场驱动磁化后的量子点磁性纳米粒子混合结构向发光区域方向移动，通过对第一线圈和第二线圈反复施加脉冲取向磁场和脉冲驱动磁场，以使设定量的量子点磁性纳米粒子混合结构通过超滤膜的过孔移动至发光区域，采用激光发射器照射该发光区域，实现量子点发光；根据发光亮度的要求，控制向第一线圈和第二线圈加载的电信号的方向和大小，来控制发光区域内量子点磁性纳米粒子混合结构的浓度，实现发出不同强度的光。
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公开(公告)号：CN113946073A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202010619340.8
申请日：2020-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1335 , G02F1/1333 , G03F1/00
摘要： 一种显示装置及其制作方法，其中，显示装置包括：相对设置的显示基板和对盒基板以及设置在显示基板和对盒基板之间的第一隔垫物；第一隔垫物的横截面的形状为圆角多边形。
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公开(公告)号：CN113189820A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110450927.5
申请日：2021-04-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置，显示基板具有显示区和周边区，显示基板包括：基底；位于周边区的多个信号传输件，多个信号传输件设置在基底上；绝缘层，设置在信号传输件远离基底的一侧；多个连接件，设置在绝缘层远离基底的一侧，每个连接件至少对应一个信号传输件，并通过贯穿绝缘层的第一过孔与相应的信号传输件连接；每个连接件包括位于第一过孔底部的第一连接部，至少一个第一连接部背离基底的表面为第一台阶面，第一台阶面包括第一表面和第二表面，第一表面到基底的距离大于第二表面到基底的距离。
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公开(公告)号：CN113946073B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010619340.8
申请日：2020-06-30
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1335 , G02F1/1333 , G03F1/00
摘要： 一种显示装置及其制作方法，其中，显示装置包括：相对设置的显示基板和对盒基板以及设置在显示基板和对盒基板之间的第一隔垫物；第一隔垫物的横截面的形状为圆角多边形。
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公开(公告)号：CN111403423B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010229483.8
申请日：2020-03-27
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
摘要： 本发明涉及显示技术领域，提出一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该显示基板包括衬底基板，衬底基板设置有显示区和非显示区，在非显示区显示基板还包括数据线金属层、第一保护导体层、钝化层和连接导体层；数据线金属层设于衬底基板的一侧；第一保护导体层设于数据线金属层的远离衬底基板的一侧；钝化层设于第一保护导体层的远离衬底基板的一侧，钝化层上设置有第一过孔；连接导体层设于钝化层的远离衬底基板的一侧，连接导体层通过第一过孔与第一保护导体层连接以使数据线金属层与连接导体层导通连接。通过第一保护导体层可以保护数据线金属层避免暴露于空气中和与其他刻蚀剂直接接触产生氧化、腐蚀不良，改良金属跨接性能。
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公开(公告)号：CN111487805A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010314205.2
申请日：2020-04-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1335 , G03F9/00
摘要： 本申请公开一种彩膜基板、显示面板及显示装置。该彩膜基板包括至少三种颜色的亚像素单元和多个具有空心区域的对位标记；每种颜色的至少部分亚像素单元中的开口区域设置有所述对位标记；位于不同颜色的亚像素单元的开口区域的所述对位标记的形状互不相同。由于该彩膜基板包括多个具有空心区域的对位标记，这样，该空心区域不仅使得开口率损失小，而且，对位标记也不容易被人眼识别，又由于不同颜色的亚像素单元的开口区域的所述对位标记的形状互不相同，这样，便于区分亚像素单元分别拼接曝光时的对位标记。
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公开(公告)号：CN118284846A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280003898.0
申请日：2022-10-31
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号： G02F1/1345
摘要： 本公开提供了一种阵列基板以及触控显示装置。该阵列基板包括：显示区和非显示区，非显示区包括扇出区和信号输入区。显示区设置有多个显示数据线和多个触控数据线，扇出区设置有多个显示数据扇出线和多个触控数据扇出线，扇出区包括从显示区指向信号输入区的方向上相邻分布的第一部分和第二部分，在扇出区的第一部分，每个显示数据扇出线包括与对应的显示数据线连接的第一显示数据扇出线段，每个触控数据扇出线包括与对应的触控数据线连接的第一触控数据扇出线段，第一显示数据扇出线段位于第一导电层，第一触控数据扇出线段位于与第一导电层电绝缘的第二导电层。
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公开(公告)号：CN117832228A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410009994.7
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
摘要： 一种阵列基板及触控显示装置。所述阵列基板包括多个第一子像素，多个第一子像素包括补偿子像素和参考子像素，补偿子像素包括第一像素电极和第一公共电极，第一公共电极包括被间隔区分隔开的两部分，间隔区在阵列基板正投影位于第一像素电极在阵列基板正投影之内；参考子像素包括第二像素电极和第二公共电极，第一公共电极和第二公共电极均被复用为触控电极；第一像素电极与第一公共电极在阵列基板的正投影具有第一交叠面积；第二像素电极与第二公共电极在阵列基板的正投影具有第二交叠面积，第一交叠面积与第二交叠面积之差的绝对值小于或者等于第一交叠面积与第二交叠面积中较小面积的4％，可以改善暗线等问题。
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公开(公告)号：CN111443566A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010383667.X
申请日：2020-05-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要： 本公开提供了一种掩膜板，属于显示技术领域。该掩膜板包括沿第一方向设置的第一拼接曝光区域和第二拼接曝光区域；第一拼接曝光区域沿第一向量平移后能够与第二拼接曝光区域重合；掩膜板包括设于第一拼接曝光区域的第一拼接遮光条和对应设于第二拼接曝光区域的第二拼接遮光条；第一拼接遮光条在第一方向上贯穿第一拼接曝光区域；第二拼接遮光条在第一方向上贯穿第二拼接曝光区域；第一拼接遮光条和对应的第二拼接遮光条中，一个的宽度等于目标宽度，另一个的宽度大于目标宽度；第一拼接遮光条的图案沿第一向量平移后能够形成第一辅助拼接图案；第一辅助拼接图案与第二拼接遮光条完全交叠。利用该掩膜板进行拼接曝光时，能够提高显示面板的均一性。
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