公开(公告)号：CN112531136A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011424375.2

申请日：2020-12-08

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵泽邦 ,  乔泊 ,  赵谡玲 ,  宋丹丹 ,  徐征

IPC: H01L51/56

Abstract: 本发明实施例提供了一种有机电致发光器件多层薄膜的制备方法，所述方法包括：在第一有机薄膜(1)上制备至少一层第二有机薄膜(2)。所述在第一有机薄膜(1)上制备至少一层第二有机薄膜(2)的步骤包括：配置溶解第一有机薄膜材料的溶液；在透明基底上，旋涂溶解第一有机薄膜材料的溶液，在基底上形成第一有机薄膜(1)；将第二有机薄膜材料溶于第一溶剂A中，形成有机溶液；将有机溶液滴在第二溶剂B上，静置至所述第一溶剂A挥发，在第二溶剂B上成膜形成第二有机薄膜(2)；使用基底上的第一有机薄膜(1)的接触面蘸取第二有机薄膜(2)，将第二有机薄膜(2)从第二溶剂B上转移至所述第一有机薄膜(1)上。

公开(公告)号：CN116096117A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310188638.1

申请日：2023-02-21

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/11 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明提供一种可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED及其制备方法，所述可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED包括：透明基底以及依次位于所述透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极；其中，所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成；所述无注入型多层量子点AC‑QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节。本发明在传统AC‑QLED结构基础上，向AC‑QLED的绝缘层中间添加电子产生层和空穴产生层。在交流电场的驱动下，载流子从电子产生层和空穴产生层中产生并注入到量子点膜层中复合发光。相比传统的AC‑QLED而言，本发明提供的AC‑QLED器件内的载流子浓度大大提升，因此器件的发光效率得到了明显的提升。

公开(公告)号：CN119212432A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411290563.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  王玉静 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/17 ,  H10K50/115 ,  H10K71/00 ,  H10K101/40

Abstract: 本申请提供一种基于新型空穴注入层的低阈值启亮QLED器件及制备方法，属于量子发光显示照明技术领域。所述QLED器件包括：顺次重叠设置的透明基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及金属电极；其中，所述新型空穴注入层包括金属氧化物纳米材料和空穴注入材料，所述金属氧化物纳米颗粒在所述空穴注入材料中的掺杂浓度为1％‑70％；其中，所述金属氧化物纳米材料的HOMO能级低于所述空穴注入材料的HOMO能级。通过本发明提供的QLED器件，基于金属氧化物纳米材料掺杂改性传统的空穴注入材料来优化空穴注入层，降低QLED器件的阈值电压，降低整体能耗，提升发光性能。

公开(公告)号：CN115084416A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210705559.9

申请日：2022-06-21

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵泽邦 ,  赵谡玲 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供的一种有机‑量子点电致发光器件混合薄膜及其制备方法，制备薄膜利用Marangoni效应，即将具有低表面张力的溶液滴入高表面张力的介质中时，材料之间会出现局部表面张力梯度，从而导致溶液表面流向较高的表面张力，利用两种溶解性、挥发性及表面张力有明显差异的溶剂，待上层溶剂挥发后，使有机‑量子点混合材料可以在下层溶剂上成膜，且不受下层溶剂的影响。本发明提供的制备方法和薄膜具有性能优秀、大面积制备、可客制化以及节约材料的显著特点，大大简化了有机‑量子点电致发光器件混合膜层的制备，扩宽了其在柔性器件这一领域的运用，对提高全溶液法制备有机‑量子点电致发光器件实用化具有重要意义。

公开(公告)号：CN119212431A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411290556.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/17 ,  H10K50/115 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请提供了一种基于新型空穴产生结构的场致发光器件及制备方法，属于显示照明技术领域，旨在提高场致发光器件的发光性能并降低启亮电压，所述场致发光器件包括透明基底、以及依次位于所述透明基底的一侧的第一绝缘层、新型空穴产生层、空穴传输层、发光层、电子产生层、第二绝缘层以及金属电极；其中，所述新型空穴产生层包括纳米颗粒材料和空穴产生材料，所述纳米颗粒材料在所述空穴产生材料中的掺杂浓度为1％‑80％。由此，本发明提供一种新型空穴产生结构作为空穴产生层，由于其电导率更高、能级更深，能够高效的提供更多的空穴载流子。这有助于降低场致发光器件的启亮电压，提升发光性能，并降低整体能耗。

公开(公告)号：CN118175863A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410279213.6

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/115 ,  H10K71/00 ,  G01R29/08

Abstract: 本发明提供了一种新型场致发光QLED器件及其制备方法和应用，属于电场监测技术领域，所述器件包括透明基底、以及依次位于所述透明基底的一侧的空穴产生层、量子点薄膜体以及电子产生层；其中，所述新型场致发光QLED器件感应外界交流电场发光；由此，本发明提供一种新型场致发光QLED器件作为电场探测装置，由于其体积较小、探测范围较广，能够提高电场探测的便利性，在工程应用上具有重要意义。

公开(公告)号：CN118159053A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410279238.6

申请日：2024-03-12

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  巩晓婕 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/115 ,  H10K50/15 ,  H10K71/00 ,  H10K101/40

Abstract: 本发明提供了一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件及其制备方法，属于显示照明技术领域，旨在提高场致发光QLED器件的发光性能，所述场致发光QLED器件包括：透明基底，以及依次位于所述透明基底一侧表面的第一绝缘层、空穴产生层、空穴传输层、量子点发光层、电子产生层、第二绝缘层以及金属电极；其中，所述空穴传输层包括磷光发光材料和空穴传输材料，所述量子点发光层包括量子点材料，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％‑20％，所述磷光发光材料的HOMO能级位于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的HOMO能级之间。