公开(公告)号：CN119212432A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411290563.9

申请日：2024-09-14

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 赵谡玲 ,  王玉静 ,  赵泽邦 ,  乔泊 ,  宋丹丹 ,  徐征 ,  梁志琴

IPC: H10K50/17 ,  H10K50/115 ,  H10K71/00 ,  H10K101/40

Abstract: 本申请提供一种基于新型空穴注入层的低阈值启亮QLED器件及制备方法，属于量子发光显示照明技术领域。所述QLED器件包括：顺次重叠设置的透明基底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及金属电极；其中，所述新型空穴注入层包括金属氧化物纳米材料和空穴注入材料，所述金属氧化物纳米颗粒在所述空穴注入材料中的掺杂浓度为1％‑70％；其中，所述金属氧化物纳米材料的HOMO能级低于所述空穴注入材料的HOMO能级。通过本发明提供的QLED器件，基于金属氧化物纳米材料掺杂改性传统的空穴注入材料来优化空穴注入层，降低QLED器件的阈值电压，降低整体能耗，提升发光性能。