公开(公告)号：CN109818599A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910005806.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  蒋艳锋 ,  冯超 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。

公开(公告)号：CN107103122B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201710216087.X

申请日：2017-04-01

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  赵星冉 ,  孙凯 ,  张波 ,  吕金虎 ,  郑琼林 ,  孙湖

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。

公开(公告)号：CN107103122A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710216087.X

申请日：2017-04-01

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  赵星冉 ,  孙凯 ,  张波 ,  吕金虎 ,  郑琼林 ,  孙湖

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。

公开(公告)号：CN109861679B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201910005807.7

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  冯超 ,  蒋艳锋 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN109818599B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201910005806.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  蒋艳锋 ,  冯超 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。

公开(公告)号：CN109861679A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910005807.7

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  冯超 ,  蒋艳锋 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。