公开(公告)号：CN109861679B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201910005807.7

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  冯超 ,  蒋艳锋 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN109818599B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201910005806.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  蒋艳锋 ,  冯超 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。

公开(公告)号：CN109861679A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910005807.7

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  冯超 ,  蒋艳锋 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，检测电路，用于检测驱动推挽电路的驱动电压，以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；脉冲产生电路，用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲；放大输出电路，用于放大脉冲，并向SiC MOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiC MOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡，在不牺牲SiC器件优势的前提下，改善因SiC MOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。

公开(公告)号：CN109818599A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910005806.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  蒋艳锋 ,  冯超 ,  杨志昌 ,  赵星冉

IPC: H03K17/081

Abstract: 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。