公开(公告)号：CN107103122B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201710216087.X

申请日：2017-04-01

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  赵星冉 ,  孙凯 ,  张波 ,  吕金虎 ,  郑琼林 ,  孙湖

IPC: G06F30/3308

Abstract: 本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。

公开(公告)号：CN107103122A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710216087.X

申请日：2017-04-01

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  赵星冉 ,  孙凯 ,  张波 ,  吕金虎 ,  郑琼林 ,  孙湖

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。