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发明公开
高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置及方法无效

公开(公告)号：CN102583237A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210038984.3

申请日：2012-02-20

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 王琎 , 张福俊 , 王健 , 王梓轩 , 刘杨 , 许晓伟 , 卓祖亮

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的装置及方法，涉及有机半导体领域。该装置的蒸发舟(3)置于真空腔(1)内的底座上，衬底(2)置于真空腔(1)内蒸发舟(3)的上方；在衬底(2)和蒸发舟(3)的上下或左右两侧相对放置第一电极板(4)和第二电极板(5)；第一电极板(4)和第二电极板(5)分别与直流电源(DC)连接。高真空电场调制获得分子排布可控纳米薄膜的方法：在真空度为5*10-4Pa的环境下，对第一电极板(4)和第二电极板(5)施加1000～2000V的电压，从而对正在蒸发中的稠环芳烃或酞菁金属进行调制，获得分子排布可控纳米薄膜。解决了有机小分子半导体材料载流子迁移率低的问题。

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