-
公开(公告)号：CN117805485B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202311630015.1
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种模拟交流量子电阻的交直流差可计算电阻，有利于解决高阻值交直流差可计算电阻结构复杂、计算困难的问题，能够用于在工作状态下校验四端对量子电阻传递电桥的不确定度，也可用于验证交流量子霍尔效应，实现传统经典方法与前沿技术的互证，其特征在于，包括在紫铜金属圆筒的中段腔轴线中心设置有小尺寸电阻，阻值为12906Ω，时间常数≤2ns，轴向长度是所述中段腔长度的0.5％～1.5％，所述小尺寸电阻的左端面连接左端铜丝，所述左端铜丝穿越中段腔左端环氧树脂覆铜板后在左段腔内形成左端连接头，右端面连接有右端铜丝，所述右端铜丝穿越中段腔右端环氧树脂覆铜板后在所述紫铜金属圆筒的右段腔内形成右端连接头。
-
公开(公告)号：CN116819153A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310163179.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: G01R17/10
Abstract: 本发明涉及一种交流量子电阻传递电桥的自动移相电路及方法，所述电路包括：波形存储器；控制器，与所述波形存储器连接；数模转换器，与所述控制器连接；功率放大器，与所述数模转换器和交流量子电阻传递电桥的输入端连接；切换电路，与所述交流量子电阻传递电桥的输出端连接；低噪声放大器，与所述切换电路连接；相敏检波器，与所述低噪声放大器连接；触发器，与所述控制器和所述相敏检波器连接；放大电路，与所述相敏检波器连接；模数转换器，与所述放大电路和所述控制器连接，所述方法基于所述电路对交流量子电阻传递电桥实现自动移相，可有效解决参考信号和被测电阻电压信号之间相位差不为零的问题，提高交流量子电阻传递电桥的指零准确度。
-
公开(公告)号：CN117807349A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311635755.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种降低频率误差的交流标准电阻，通过调节电容的引入降低频率误差，在此基础上还可以选用温度系数相反、漂移方向相反、偏差相反的小体积器件电阻串联，降低交流电阻的温度系数和偏差，提高了稳定性，满足了交流量子电阻的传递需求，其特征在于，包括第一电阻的左端通过左端节点连接的高端，所述第一电阻的右端通过中间节点连接第二电阻的左端，所述第二电阻的右端通过右端节点连接低端，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为交流标准电阻值的1/2，根据设定的交流标准电阻值大小在所述左端节点与右端节点之间或者在所述中间节点与接地端之间接入减小时间常数的补偿电容。
-
公开(公告)号：CN117098445B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117098445A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311339985.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京东方计量测试研究所
IPC: H10N52/00 , C30B29/40 , C30B29/42 , C30B29/68 , C30B25/02 , C23C14/30 , C23C14/18 , C22C5/02 , H10N52/80 , H10N52/01 , H10N52/85
Abstract: 一种低磁场砷化镓量子化霍尔电阻样品及其制作方法，既能在较低磁场条件下复现量子化霍尔电阻效应，又具有较宽量子电阻样品的平台宽度，平台宽度≥0.6T，磁场条件是对应2号平台中心磁场在7T～8T之间，包括砷化镓异质结材料，其具有结合于砷化镓衬底上表面的依次向上叠合的七层结构，第一层是GaAs隔离层，第二层是GaAs/AlGaAs超晶格层，第三层是高纯净度GaAs层，第四层是二维电子气层，第五层是未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层，第六层是掺杂Si的AlxGa1‑xAs层，第七层是GaAs表面层，所述未掺杂的AlxGa1‑xAs隔离层厚度为10nm～30nm，x=0.28～0.32，以使所述二维电子气层的载流子浓度既匹配于与之正相关的量子化霍尔电阻2号平台中心磁场所期望的低磁场。
-
公开(公告)号：CN117807349B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311635755.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种降低频率误差的交流标准电阻，通过调节电容的引入降低频率误差，在此基础上还可以选用温度系数相反、漂移方向相反、偏差相反的小体积器件电阻串联，降低交流电阻的温度系数和偏差，提高了稳定性，满足了交流量子电阻的传递需求，其特征在于，包括第一电阻的左端通过左端节点连接的高端，所述第一电阻的右端通过中间节点连接第二电阻的左端，所述第二电阻的右端通过右端节点连接低端，所述第一电阻和第二电阻的阻值均为交流标准电阻值的1/2，根据设定的交流标准电阻值大小在所述左端节点与右端节点之间或者在所述中间节点与接地端之间接入减小时间常数的补偿电容。
-
公开(公告)号：CN117825842A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311828356.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种齐纳电压、精密电阻漂移特性测量方法和装置，有利于以更高的效率实现对齐纳电压、精密电阻漂移特性的测量和有效预测长期漂移量，从而为航天器和精密仪表的质控提供技术支撑，其特征在于，集成化量子电学标准平台包括量子电阻标准模块，和量子电压标准模块；高准确度传递装置包括高准确度传递电桥，和高准确度分压器；控温装置内包括待测的精密电阻器件，和待测的齐纳电压器件；高准确度分压器分别连接量子电压标准模块和齐纳电压器件，长期漂移特性预测模型输出针对齐纳电压器件的电压值长期漂移量；高准确度传递电桥分别连接量子电阻标准模块和精密电阻器件，长期漂移特性预测模型输出针对精密电阻器件的电阻值长期漂移量。
-
公开(公告)号：CN117805485A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311630015.1
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 一种模拟交流量子电阻的交直流差可计算电阻，有利于解决高阻值交直流差可计算电阻结构复杂、计算困难的问题，能够用于在工作状态下校验四端对量子电阻传递电桥的不确定度，也可用于验证交流量子霍尔效应，实现传统经典方法与前沿技术的互证，其特征在于，包括在紫铜金属圆筒的中段腔轴线中心设置有小尺寸电阻，阻值为12906Ω，时间常数≤2ns，轴向长度是所述中段腔长度的0.5％～1.5％，所述小尺寸电阻的左端面连接左端铜丝，所述左端铜丝穿越中段腔左端环氧树脂覆铜板后在左段腔内形成左端连接头，右端面连接有右端铜丝，所述右端铜丝穿越中段腔右端环氧树脂覆铜板后在所述紫铜金属圆筒的右段腔内形成右端连接头。
-
公开(公告)号：CN117665343A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311482129.6
申请日：2023-11-08
Applicant: 北京东方计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及交直流兼容型量子电阻样品基座，包括逐层依次连接的第一屏蔽层、第二屏蔽层、第三屏蔽层、第四屏蔽层、第五屏蔽层和/或第六屏蔽层，其中第五屏蔽层设有样品容置区，通过合理设置第一屏蔽层至第四屏蔽层的结构，使得基座可在直流用途和交流用途之间切换，即未设置第六屏蔽层时用于直流，设置第六屏蔽层时用于交流。同时，可以在第一屏蔽层上设置符合TO‑8标准的管脚，来提高适用样品的兼容性。另外，相比于帽层连接工艺效率更高，且没有复杂的加工工艺，因此基本不会增加成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.039 seconds)
