公开(公告)号：CN101919027B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200880113968.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 分子间公司

Inventor： 里克·恩多 ,  库尔特·魏纳 ,  因德拉尼尔·德 ,  詹姆士·宗 ,  赵茂生 ,  杰里米·程

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/32051 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/0043 ,  B01J2219/00536 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00745 ,  B01J2219/00756 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C14/548 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/6719

Abstract: 提供了一种组合式处理腔室。此组合式处理腔室用以隔绝可旋式基板支撑物的径向部分，而此基板支撑物转用以支撑一基板。在一实施方式中，此腔室包括多个丛集制程机头。在一实施方式中，具有底板的插件针对沉积制程定义一限制区域，其底板设置于此基板支撑物与此制程机头之间。此底板具有一开口，以使沉积材料能进入至此基板。经由此基板的转动与此开口的移动，此基板的多重区域易于用以在单一基板上执行组合式处理。

公开(公告)号：CN107645988A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201680028471.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 分子间公司 ,  佳殿工业公司

Inventor： 丁国文 ,  布伦特·博伊斯 ,  杰里米·程 ,  穆罕默德·伊姆兰 ,  劳靖宇 ,  李珉户 ,  丹尼尔·施魏格特 ,  志-文·文·孙 ,  王宇 ,  徐永利 ,  张贵珍

IPC: B32B15/08 ,  C23C14/18

Abstract: 一种制备低辐射面板的方法，包括：控制形成在薄导电银层上的阻挡层的组合物。该阻挡结构可含有镍、钛、铌的三元合金，其与二元阻挡层相比，显示出在整体上具有改进的性能。镍的百分比可为5-15wt％，钛的百分比可为30-50wt％，铌的百分比可为40-60wt％。

公开(公告)号：CN101919027A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200880113968.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 分子间公司

Inventor： 里克·恩多 ,  库尔特·魏纳 ,  因德拉尼尔·德 ,  詹姆士·宗 ,  赵茂生 ,  杰里米·程

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/44 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/32051 ,  B01J19/0046 ,  B01J2219/0043 ,  B01J2219/00536 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00745 ,  B01J2219/00756 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C14/548 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/6719

Abstract: 提供了一种组合式处理腔室。此组合式处理腔室用以隔绝可旋式基板支撑物的径向部分，而此基板支撑物转用以支撑一基板。在一实施方式中，此腔室包括多个丛集制程机头。在一实施方式中，具有底板的插件针对沉积制程定义一限制区域，其底板设置于此基板支撑物与此制程机头之间。此底板具有一开口，以使沉积材料能进入至此基板。经由此基板的转动与此开口的移动，此基板的多重区域易于用以在单一基板上执行组合式处理。