公开(公告)号：CN113004803A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011417878.7

申请日：2020-12-07

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 申基柱 ,  金廷润 ,  朴光洙 ,  崔秀完

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及可实现多选择比的抛光料浆组合物，更详细地，涉及抛光料浆组合物，包括：包括抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括带有酰胺键的聚合物及阳离子性聚合物。

公开(公告)号：CN113242891A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN112930377A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980066193.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴光洙 ,  黄晙夏 ,  崔秀完 ,  崔洛炫

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物及其制备方法。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物，包括：分散而使得粒子表面具有正电荷的抛光粒子；包括非离子性线型聚合物的第一分散剂；以及包括阴离子性线团状聚合物的第二分散剂，其中所述抛光料浆组合物满足[条件式1]及[条件式2]。[条件式1]4≤log(研磨能量)＜5，[条件式2]20％≤一次粒子大小减少率(％)＜35％。

公开(公告)号：CN113242891B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN113195659A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084411.4

申请日：2019-11-04

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  金廷润 ,  梁海元 ,  崔秀完

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，根据本发明的一个实施方式的抛光浆料组合物包括包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；选择比调节剂；以及抛光粒子。