公开(公告)号：CN113242891A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN113195658A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084398.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 金廷润 ,  黄晙夏 ,  朴光洙 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于STI工艺的抛光料浆组合物，并且更具体地涉及用于STI工艺的抛光料浆组合物，所述抛光料浆组合物包括：具有抛光粒子的抛光液；以及添加液，所述添加液包括具有酰胺键的聚合物，以及包括具有与一个以上的原子连接的三个以上链的单体的多晶硅膜抛光抑制剂。

公开(公告)号：CN113242891B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201980084413.3

申请日：2019-07-03

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔秀完 ,  金廷润 ,  崔洛炫 ,  梁海元

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种抛光料浆组合物。根据本发明的一实施例的抛光料浆组合物包括：包含抛光粒子的抛光液；以及包含非离子高分子聚合物及选择比调节剂的添加液。本发明的抛光料浆组合物具有氧化硅膜和多晶硅膜的高抛光率，在半导体元件的浅槽隔离(STI)抛光之后没有留下杂质，并且能够减少氧化硅膜凹陷的量以及减少刮痕。

公开(公告)号：CN113195659A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084411.4

申请日：2019-11-04

Applicant: 凯斯科技股份有限公司

Inventor： 崔洛炫 ,  金廷润 ,  梁海元 ,  崔秀完

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09G1/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，根据本发明的一个实施方式的抛光浆料组合物包括包含一个以上的酰胺键的非离子型高分子聚合物；选择比调节剂；以及抛光粒子。