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公开(公告)号：CN110217832B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910329925.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
Inventor： 智福鹏 , 江名喜 , 马骞 , 王娟辉 , 陈晓闯 , 吴来红 , 刘世红 , 郝亚莉 , 吴晖君 , 祁世青 , 鲁相杰 , 张振华 , 颉颐 , 何艳 , 吴芳 , 冯燕 , 吴婧
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒窄分布掺铝碳酸钴连续合成阶段和大颗粒窄分布掺铝碳酸钴煅烧阶段；本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量、连续合成方法和特殊铝盐方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好，铝元素分布均匀；通过三段式煅烧方法，第一段温度为180‑250℃，碳酸钴局部分解，形成微孔通道；第二段温度为300‑500℃，碳酸钴彻底分解；第三段温度为650‑800℃，颗粒表面致密化，亚钴相更低，晶型更完整，形成大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110217831A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910329907.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
Inventor： 智福鹏 , 江名喜 , 马骞 , 王娟辉 , 陈晓闯 , 吴来红 , 刘世红 , 郝亚莉 , 吴晖君 , 祁世青 , 鲁相杰 , 张振华 , 颉颐 , 何艳 , 吴芳 , 冯燕 , 吴婧
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种高电压钴酸锂用大颗粒球形窄分布四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒球形窄分布碳酸钴连续生产阶段和大颗粒球形窄分布碳酸钴煅烧阶段。本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量和连续生产方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好。
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公开(公告)号：CN109824094A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910214872.0
申请日：2019-03-20
Applicant: 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/06
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种高电压钴酸锂用大颗粒碳酸钴的生产方法，通过核生长和粒子生长工序来制造大颗粒碳酸钴的连续合成方法；所述核生长工序是在晶核生成釜内进行反应，以在线测定的pH值为6.8~8.5的方式控制核生成的工序；所述粒子生长工序是在初级反应釜内进行核初级生长，在优化反应釜内进行优化生长，改善粒子粒度分布及形貌，分别以在线测定的pH为6.8~8.0的方式控制含有该核生长工序中形成的核的粒子生长溶液。本发明能够使所生成的大颗粒碳酸钴的粒度分布更窄且更均质，形成形状和尺寸整齐均一的粒子。
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公开(公告)号：CN110217831B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910329907.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
Inventor： 智福鹏 , 江名喜 , 马骞 , 王娟辉 , 陈晓闯 , 吴来红 , 刘世红 , 郝亚莉 , 吴晖君 , 祁世青 , 鲁相杰 , 张振华 , 颉颐 , 何艳 , 吴芳 , 冯燕 , 吴婧
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种高电压钴酸锂用大颗粒球形窄分布四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒球形窄分布碳酸钴连续生产阶段和大颗粒球形窄分布碳酸钴煅烧阶段。本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量和连续生产方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好。
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公开(公告)号：CN110217832A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910329925.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
Inventor： 智福鹏 , 江名喜 , 马骞 , 王娟辉 , 陈晓闯 , 吴来红 , 刘世红 , 郝亚莉 , 吴晖君 , 祁世青 , 鲁相杰 , 张振华 , 颉颐 , 何艳 , 吴芳 , 冯燕 , 吴婧
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域，尤其涉及一种大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴的制备方法。其包括大颗粒窄分布掺铝碳酸钴连续合成阶段和大颗粒窄分布掺铝碳酸钴煅烧阶段；本发明在碳酸钴湿法合成阶段通过连续离心提高固含量、连续合成方法和特殊铝盐方法制得的大颗粒碳酸钴前驱体较致密，粒度分布窄，球形度好，铝元素分布均匀；通过三段式煅烧方法，第一段温度为180-250℃，碳酸钴局部分解，形成微孔通道；第二段温度为300-500℃，碳酸钴彻底分解；第三段温度为650-800℃，颗粒表面致密化，亚钴相更低，晶型更完整，形成大颗粒窄分布掺铝四氧化三钴。
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公开(公告)号：CN210522490U
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201920560199.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及化工设备技术领域，具体涉及一种具有上清液抽取功能的反应釜。其包括反应釜本体，还包括依次连接的抽吸泵、抽吸管和悬浮装置，所述悬浮装置位于反应釜本体内，所述抽吸管的吸入口朝下固定于悬浮装置上。本实用新型能够保证抽吸管的吸入口始终位于上清液层中，从而避免吸入管的吸入口高于液面而产生空吸现象，或避免吸入管的吸入口进入到反应釜的沉降物层而抽走浆料，提高固液比，杜绝物料浪费情况的发生。
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