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公开(公告)号:CN113735183A
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202110980700.1
申请日:2021-08-25
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体为一种掺铝四氧化三钴的制备方法,该方法通过在氢氧化钴制备过程中并流加入碱性纳米铝溶胶,制备得到均匀掺铝氢氧化钴产品;然后将均匀掺铝氢氧化钴产品洗涤、干燥、煅烧,得到掺铝四氧化三钴产品。利用此工艺,能够制备出激光粒度D50在16~18µm,掺铝量在0.4~0.8%,振实密度≧2.0g/cm3,比表面积1.0~3.0m2/g,形貌为块状或类球形的掺铝四氧化三钴产品。本发明制备出的掺铝四氧化三钴产品中铝均匀分布,有利于提高钴酸锂产品的充放电电压。
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公开(公告)号:CN113184919A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110592749.X
申请日:2021-05-28
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体为一种掺铝四氧化三钴的制备方法,该方法通过在氢氧化钴制备过程中并流加入碱性纳米铝溶胶,制备得到均匀掺铝氢氧化钴产品;然后将均匀掺铝氢氧化钴产品洗涤、干燥、煅烧,得到掺铝四氧化三钴产品。利用此工艺,能够制备出激光粒度D50在16~18µm,掺铝量在0.4~0.8%,振实密度≧2.0g/cm3,比表面积1.0~3.0m2/g,形貌为块状或类球形的掺铝四氧化三钴产品。本发明制备出的掺铝四氧化三钴产品中铝均匀分布,有利于提高钴酸锂产品的充放电电压。
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公开(公告)号:CN110002512B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910329096.9
申请日:2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明公开掺镁四氧化三钴的制备方法,该方法将镁掺入钴溶液中,且通过随着合成时间的延长,加入反应釜中的钴溶液浓度梯度增加,同时调节反应釜中浆料的固液比,湿法合成出致密掺镁氢氧化钴,合成结束后将合成产物洗涤、干燥、煅烧,得到掺镁四氧化三钴产品。此法得到的产品掺镁均匀分布,振实密度高、比表面积大,形貌为球形或类球形。
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公开(公告)号:CN110071275A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201910329885.2
申请日:2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种包覆金属四氧化三钴的制备方法,该方法通过随着合成时间的延长,加入反应釜中的钴溶液浓度梯度增加,同时调节反应釜中浆料的固液比,湿法合成出激光粒度D50在17~19μm的致密氢氧化钴。合成结束后将金属溶液与沉淀剂溶液并流加入反应釜中进行金属的包覆,包覆结束后将合成产物洗涤、干燥、煅烧,得到掺金属四氧化三钴产品。本发明方法制备的四氧化三钴产品掺杂元素分布均匀,形貌为球形或类球形。
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公开(公告)号:CN110247029B
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN201910329920.0
申请日:2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属锂离子电池技术领域,具体涉及一种用于制备高电压钴酸锂的小粒度高掺量铌钨钽四氧化三钴制备方法。本发明的制备过程包括配液、铌钨钽晶核制备、合成反应、陈化、过滤、洗涤、干燥和煅烧。本发明通过合成开始阶段使用高浓度钴溶液,并随着合成时间的增加,降低合成钴溶液的浓度,增加了合成反应开始阶段氢氧化钴晶核生成数量,有利于抑制氢氧化钴的生长速度,能够制备出结晶致密的氢氧化钴。
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公开(公告)号:CN110342587B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201910330709.0
申请日:2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于化工技术领域,涉及一种窄分布大粒度四氧化三钴的制备方法。其包括溶液配制、合成反应和过滤洗涤干燥步骤。采用本发明方法制备出的窄分布大粒度四氧化三钴产品粒度分布较好,产品形貌改善,球形度较好,生产效率高。
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公开(公告)号:CN112499692A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011410783.2
申请日:2020-12-02
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明公开了一种掺铝四氧化三钴的制备方法,包括以下步骤:(1)配制钴盐溶液、氢氧化钠溶液、氨水溶液,向氨水溶液中添加水合肼溶液;(2)将钴盐溶液、氢氧化钠溶液、添加有水合肼溶液的氨水溶液、铝溶胶溶液以并流的方式加入到反应釜中进行合成反应;当反应釜中的物料体积达到反应釜体积的80%~85%时,将反应釜中的物料打入精密过滤器中浓缩,得到浓浆料,浓浆料返回反应釜中继续进行合成反应,得到目标粒径的掺铝氢氧化钴;(3)将目标粒径的掺铝氢氧化钴陈化、过滤、洗涤、干燥、煅烧,得到掺铝四氧化三钴产品。本发明通过先制备均匀掺铝氢氧化钴产品,再煅烧得到掺铝四氧化三钴。
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公开(公告)号:CN110002512A
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201910329096.9
申请日:2019-04-23
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明公开掺镁四氧化三钴的制备方法,该方法将镁掺入钴溶液中,且通过随着合成时间的延长,加入反应釜中的钴溶液浓度梯度增加,同时调节反应釜中浆料的固液比,湿法合成出致密掺镁氢氧化钴,合成结束后将合成产物洗涤、干燥、煅烧,得到掺镁四氧化三钴产品。此法得到的产品掺镁均匀分布,振实密度高、比表面积大,形貌为球形或类球形。
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公开(公告)号:CN115108591A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210762739.0
申请日:2022-08-31
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域,公开了一种低硫四氧化三钴的制备方法,以解决现有技术不能将硫含量降低至0.02%以下的问题,该方法通过二次煅烧洗涤,通过先合成出一次粒子粗大的Co(OH)2,然后将Co(OH)2浆料固液分离,低温煅烧成CoO,改变颗粒晶体结构,从而改变SO42‑在晶体中的结合方式,通过水洗,能够非常容易的将产品中的硫含量降低至≤0.05%,然后通过高温煅烧,使CoO变成Co3O4,二次改变产品晶体结构,再通过水洗,使产品中硫含量降低至≤0.02%。本发明采用高温低pH的合成工艺合成Co(OH)2,氢氧化钴一次粒子粗大,且结晶致密,阻止钠离子进入晶体内部,最终得到钠含量≤0.002%的四氧化三钴产品。
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公开(公告)号:CN113772744A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202110980731.7
申请日:2021-08-25
Applicant: 金川集团股份有限公司 , 兰州金川新材料科技股份有限公司
IPC: C01G51/04
Abstract: 本发明属于材料合成技术领域,具体涉及一种空心壳球四氧化三钴的制备方法,包括以下步骤:步骤一、以氯化钴为原料,配置钴溶液为A溶液;配置碳酸钠溶液为B溶液;步骤二、合成反应开始时,将A、B溶液并流加入反应釜中,并以一定的方式向反应釜中通入CO2气体,在搅拌下进行碳酸钴的合成,合成过程中严格控制A、B溶液流量、CO2流量、反应温度、搅拌强度和反应时间;步骤三、当合成反应结束后,陈化,陈化后将物料过滤、洗涤、干燥,得到空心壳球碳酸钴合成产物;步骤四、将空心壳球碳酸钴颗粒在一定温度条件下煅烧,得到空心壳球四氧化三钴。本发明提供了一种生产过程简单易控的空心壳球四氧化三钴的制备方法。
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