公开(公告)号：CN102151526A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010235774.4

申请日：2010-07-23

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 杨华 ,  曹忠娥 ,  沈希 ,  县涛 ,  姜金龙 ,  魏智强 ,  冯有才 ,  冯旺军

IPC: B01J13/02

Abstract: 调控钙钛矿锰氧化物铁磁转变温度的方法，选取第二相MgO与钙钛矿锰氧化物La2/3Ca1/3MnO3复合，制备出锰氧化物纳米颗粒均匀分散在MgO基体中的新型复合结构，La2/3Ca1/3MnO3的基本钙钛矿单胞参数为ap，bp，cp≈0.3854nm，MgO的立方点阵参数为a≈0.4211nm，利用二者之间的晶格失配对锰氧化物纳米颗粒产生的应力效应，以实现对钙钛矿锰氧化物铁磁转变温度的调控，其具体步骤是：首先制备出La2/3Ca1/3MnO3纳米颗粒，然后制备纯相MgO纳米颗粒，第三在La2/3Ca1/3MnO3颗粒表面包覆MgO，制备出核为La2/3Ca1/3MnO3、壳为MgO结构纳米复合粉体，最后将La2/3Ca1/3MnO3/MgO系列复合粉体压成小圆片，制备出La2/3Ca1/3MnO3纳米颗粒均匀分散在MgO基体中的复合材料。

公开(公告)号：CN102931190A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210453609.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 兰州理工大学

Inventor： 任国栋 ,  赵世芳 ,  魏智强 ,  蒲忠胜 ,  冯旺军 ,  戴剑锋 ,  褚润通 ,  王道斌 ,  雷景丽 ,  武钢 ,  冯有才 ,  李晓晓 ,  李瑞山 ,  王青 ,  陈玉红 ,  侯尚林

IPC: H01L27/02

Abstract: 能实现匹配的比例集成电阻版图结构，减小了集成电路中比例电阻占用的面积，减小的面积来自相邻电阻满足光刻对准的间距要求。在电阻中插入悬空的接触孔图形，即虚假接触孔，可以替代光刻对准的间距要求和互连的金属图形，需要在比例电阻的比例项电阻中均插入虚假接触孔。在比例电阻中任意相邻接触孔之间的电阻块的几何尺寸完全相同，通过电阻块的串并联可以得到所需的电阻比例。