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公开(公告)号:CN104897726A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510264908.8
申请日:2015-05-22
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种利用溶胶-凝胶法制备的高灵敏度气体传感器,所述气体传感器是以纳米氧化铜为气敏材料,其特征在于,所述纳米氧化铜通过溶胶-凝胶法制备得到,包括如下步骤:(1)溶胶凝胶液的制备:以异丙醇为溶剂,一水合醋酸铜为溶质,乙醇胺为稳定剂,将异丙醇、醋酸铜和乙醇胺混合搅拌加热,冷却静置;(2)溶胶凝胶液烘干后,加热至450~550℃,保温1~3小时,冷却。与现有以纳米氧化铜作为气敏材料的气体传感器相比,本发明的气体传感器可显著提高对低浓度气体(如甲醇、乙醇、丙酮、甲醛等)的灵敏度,特别是浓度低至20ppm以下的灵敏度。
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公开(公告)号:CN119677122A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411881449.3
申请日:2024-12-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基静电感应晶闸管,包括靠近N型漂移区的N+矩形沟道区和位于所述N+矩形沟道区上的N+弯道状沟道区;P+型栅区为三段式栅极结构,具体包括靠近所述N型漂移区的P+型矩形栅区、位于所述P+型矩形栅区上的P型弯曲状栅区,以及位于所述P型弯曲状栅区上的栅极区邻近铝接触电极部分;沟槽结构阴极底部还与所述P型弯曲状栅区相对设有阴极底部P+区。通过引入新的结构设计实现了更强大的栅极控制能力、更高的击穿电压以及更好的电流均匀分布。
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公开(公告)号:CN101355101B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200810000645.X
申请日:2008-01-11
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(VGS(K))和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即VGS(K)过高,I-V特性不能正常显现。本发明通过使用L5、L6、L7光刻版,用分步刻槽法在硅衬底片上刻蚀出栅电极坑、台面槽和隔断槽,将VGS(K)提高到几十伏到百多伏,且I-V特性正常显现。本发明很好地解决了栅-源(阴)极电压和伏-安特性的统一问题。
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公开(公告)号:CN108101098A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201810010592.3
申请日:2018-01-05
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: C01G3/02 , C01P2004/16
Abstract: 本发明公开了一种具有Fabry–Perot谐振模式的Cu2O纳米线制备方法,包括以下步骤:步骤一、取25毫升0.125摩尔的(NH4)2S2O8和25毫升2.5摩尔的NaOH在室温下混合并搅拌均匀,得到混合溶液;步骤二、取清洗干净后的铜箔放入上述混合溶液中,待反应30分钟后,在铜箔表面变为蓝色后取出并用去离子水冲洗后用氮气吹干;步骤三、将处理后的铜箔放入真空度为1.0×10‑4Torr的管炉中分别在两种温度下退火30分钟后得到在铜箔表面生产的Cu2O纳米线。与现有技术相比,本发明工艺简单,反应条件便于控制,适于大批量生产,而且制得的Cu2O纳米线在荧光光谱测试下其光谱在主发射峰位置会(能量为2.26eV)出现Fabry–Perot谐振模式的发射光谱。
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公开(公告)号:CN104098147A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410337792.1
申请日:2014-07-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了用电化学方法制备具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒,属于半导体光电子材料及其应用领域。本发明是通过电化学沉积的方法,在NiSO4·6H2O水溶液中,用高纯度Ni板作为辅助电极,用饱和甘汞电极作为参比电极,ITO导电玻璃作为工作电极,通过调整沉积电流和沉积时间,在ITO玻璃衬底表面生长出Ni纳米颗粒,然后在空气中加热氧化生成具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒。本发明的优点是制备工艺简单、所用生产材料非常普通,制备过程功耗低,无污染;制成的纳米颗粒尺寸基本一致,且分布均匀,具有较高的比表面积,非常适合应用于光伏器件、光电探测器、超级电容器及其电致发光器件。
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公开(公告)号:CN104098147B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201410337792.1
申请日:2014-07-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了用电化学方法制备具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒,属于半导体光电子材料及其应用领域。本发明是通过电化学沉积的方法,在NiSO4·6H2O水溶液中,用高纯度Ni板作为辅助电极,用饱和甘汞电极作为参比电极,ITO导电玻璃作为工作电极,通过调整沉积电流和沉积时间,在ITO玻璃衬底表面生长出Ni纳米颗粒,然后在空气中加热氧化生成具有玫瑰花状形貌特征的NiO纳米颗粒。本发明的优点是制备工艺简单、所用生产材料非常普通,制备过程功耗低,无污染;制成的纳米颗粒尺寸基本一致,且分布均匀,具有较高的比表面积,非常适合应用于光伏器件、光电探测器、超级电容器及其电致发光器件。
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公开(公告)号:CN104897727A
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201510264982.X
申请日:2015-05-22
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种高灵敏度多气体检测的气敏传感器,所述气敏传感器是以纳米氧化镍为气敏材料,其特点在于,所述纳米氧化镍是通过包括如下步骤得到:(1)采用三电极体系在ITO玻璃上电化学沉积镍原子层:工作电极为ITO玻璃,辅助电极为Ni,参比电极为饱和甘汞电极,电解液为硫酸镍水溶液;(2)步骤(1)沉积镍原子层后的ITO玻璃在空气气氛下于350~380℃处理60~90min,冷却,超声处理,得到具有玫瑰花状形貌的所述纳米氧化镍。与现有以纳米氧化镍作为气敏材料的气敏传感器相比,本发明的气敏传感器可显著提高对气体的检测灵敏度,特别是浓度低至20ppm以下的灵敏度。
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公开(公告)号:CN101483137A
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200810000646.4
申请日:2008-01-11
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/223 , H01L21/205
Abstract: 本发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺,涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂,补偿度难于控制,本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷,同时通过对外延工艺条件的控制,采用SiCl4氢还原法,在1180-1185℃下,SiCl4源温控制在15-20℃,外延生长速率控制在0.5-0.8μm/min达到反型杂质的高精度补偿。本发明具有工艺简单,反型杂质能够高精度补偿且补偿度易于控制,适于工业化生产的有益效果。
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公开(公告)号:CN101355101A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810000645.X
申请日:2008-01-11
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明为一种多槽结构静电感应器件及其制备方法,涉及半导体领域。现有技术中存在栅-源(阴)极电压(VGS(K))和伏-安特性(I-V特性)的统一问题,即VGS(K)过高,I-V特性不能正常显现。本发明通过使用L5、L6、L7光刻版,用分步刻槽法在硅衬底片上刻蚀出栅电极坑、台面槽和隔断槽,将VGS(K)提高到几十伏到百多伏,且I-V特性正常显现。本发明很好地解决了栅-源(阴)极电压和伏-安特性的统一问题。
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公开(公告)号:CN213121841U
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202022239352.6
申请日:2020-10-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本实用新型公开了一种气体传感器用支架,包括装置本体,装置本体的底端设置有底板,所述底板的底端设置有滚轮,底板的一侧设置有限位孔,限位孔的内部设置有安装杆,安装杆的一端设置有制动板,底板和制动板的一侧均设置有磁板一,安装杆的中部设置有弹簧一,安装杆的顶端设置有脚踏板,底板和脚踏板的一侧均设置有磁板二,本实用新型底板的顶端设置有升降杆,升降杆的一侧设置有定位螺杆,升降杆的一端设置有支撑板一,支撑板一的顶端设置有伸缩杆,伸缩杆的外侧设置有弹簧二,所述伸缩杆的一端设置有支撑板二,支撑板二的顶端设置有气体传感器,增加升降杆便于对支撑板一的高度进行调节,且增加弹簧二对支撑板二起到缓冲减震的作用。
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