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公开(公告)号：CN101483137A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810000646.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/223 , H01L21/205
Abstract: 本发明为静电感应器件制造中的染磷技术及相匹配的外延工艺，涉及静电感应器件制造技术。由于反型杂质的高精度补偿工艺复杂，补偿度难于控制，本发明通过在扩磷工序中用三氯氧磷对硅片进行染磷，同时通过对外延工艺条件的控制，采用SiCl4氢还原法，在1180－1185℃下，SiCl4源温控制在15－20℃，外延生长速率控制在0.5－0.8μm/min达到反型杂质的高精度补偿。本发明具有工艺简单，反型杂质能够高精度补偿且补偿度易于控制，适于工业化生产的有益效果。
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