公开(公告)号：CN1378704A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN00814181.9

申请日：2000-09-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： T·C·萧 ,  M·T·瑞斯白 ,  孙禹

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/105

Abstract: 通过降低光阻去除期间的减反射膜损失来取得改进的半导体装置外围电路区域中栅极结构尺寸的精确度,该光阻去除对应于在形成图形及离子注入期间,在核心存储单元区域中形成多个掩模。实施例包括依序蚀刻核心存储单元区域中叠层式栅极结构、光阻的剥除以及蚀刻从而在外围电路区域中形成栅极结构。然后,在核心存储单元区域中实施多次掩模与离子注入,随后剥除光阻涂层。

公开(公告)号：CN1186812C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN00814181.9

申请日：2000-09-29

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： T·C·萧 ,  M·T·瑞斯白 ,  孙禹

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/105

Abstract: 通过降低光阻去除期间的抗反射膜损失来取得改进的半导体装置外围电路区域中栅极结构尺寸的精确度，该光阻去除对应于在形成图形及离子注入期间，在核心存储单元区域中形成多个掩模。实施例包括依序蚀刻核心存储单元区域中叠层式栅极结构、光阻的剥除以及蚀刻从而在外围电路区域中形成栅极结构。然后，在核心存储单元区域中实施多次掩模与离子注入，随后剥除光阻层。