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公开(公告)号：CN119277789A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310826763.0
申请日：2023-07-06
Applicant: 兆易创新科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开涉及NOR型存储器件及其制造方法。该NOR型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源/漏接触层被分别连接到两个位线/源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。本公开如上所述地提出了一种新型的竖直堆叠的NOR型存储器件结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单、制造工艺简单易行。
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公开(公告)号：CN118829221A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310429621.0
申请日：2023-04-20
Applicant: 兆易创新科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开涉及NOR型存储阵列、NOR型存储器和电子设备。该NOR型存储阵列包括：在水平面上排列成n行与m列的多个竖直存储组，其中，一个竖直存储组包括至少h个竖直堆叠的存储晶体管，其中，n、m和h均为大于1的自然数，其中，一个竖直存储组中的存储晶体管共用一个竖直延伸的柱状栅极结构，同一行的各个竖直存储组的柱状栅极结构中的部分或全部连接同一字线，同一列的各个竖直存储组中位于同一堆叠层级的存储晶体管中的部分或全部连接同一位线，以及相邻列的竖直存储组之间设置有用于隔离相邻列的存储晶体管的有源区和位线的隔离部。本公开如上所述地提出了一种新型的三维排列的NOR型存储阵列结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单。
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公开(公告)号：CN220476237U
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202321769019.3
申请日：2023-07-06
Applicant: 兆易创新科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开涉及NOR型存储器件。该NOR型存储器件包括：沿竖直方向交替堆叠的至少两个源/漏接触层和至少一个隔离层；竖直延伸穿过所述源/漏接触层和所述隔离层的栅极结构；以及位于所述栅极结构外周的半导体层；其中，分别紧邻所述隔离层上方和下方的两个源/漏接触层被分别连接到两个位线/源极线，并且与所述栅极结构和所述半导体层形成一个存储晶体管。本公开如上所述地提出了一种新型的竖直堆叠的NOR型存储器件结构，其提高了存储阵列的集成密度且结构简单、制造工艺简单易行。
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