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公开(公告)号:CN1561538A
公开(公告)日:2005-01-05
申请号:CN02819209.5
申请日:2002-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供工件保持盘,具有用于保持工件的一主面、将另一主面镜面研磨的工件保持盘本体,在前述工件保持盘的工件保持面形成微小的孔。本发明的工件研磨装置,具备具有将工件真空吸附保持的贯通孔的工件保持盘本体的用于研磨的工件保持盘,该工件研磨装置具备覆盖前述保持面的树脂的热膨胀系数是3×10-5/K以下的用于研磨的工件保持盘、及本发明用于研磨的工件保持盘;本发明的工件研磨方法,用于研磨的工件保持盘的保持面上覆盖热膨胀系数是3×10-5/K以下的树脂,通过将该保持面的工件的背面真空吸附保持,接着将该工件与研磨布接触来将工件的表面研磨。由此提供毫微表面状态等级的凹凸不发生地研磨晶片的研磨装置及研磨方法、及工件保持盘。
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公开(公告)号:CN1312740C
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN02819209.5
申请日:2002-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供工件保持盘,具有用于保持工件的一主面、将另一主面镜面研磨的工件保持盘本体,在前述工件保持盘的工件保持面形成微小的孔。本发明的工件研磨装置,具备具有将工件真空吸附保持的贯通孔的工件保持盘本体的用于研磨的工件保持盘,该工件研磨装置具备覆盖前述保持面的树脂的热膨胀系数是3×10-5/K以下的用于研磨的工件保持盘、及本发明用于研磨的工件保持盘;本发明的工件研磨方法,用于研磨的工件保持盘的保持面上覆盖热膨胀系数是3×10-5/K以下的树脂,通过将该保持面的工件的背面真空吸附保持,接着将该工件与研磨布接触来将工件的表面研磨。由此提供毫微表面状态等级的凹凸不发生地研磨晶片的研磨装置及研磨方法、及工件保持盘。
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