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公开(公告)号：CN116918052A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280019273.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明是一种碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷评价方法，通过熔融KOH对碳化硅单晶晶圆进行蚀刻，使得起因于贯通刃型位错的蚀刻坑的尺寸为10～50μm，对所述蚀刻后的所述碳化硅单晶晶圆表面的多处通过自动拍摄获得显微镜图像，对于所述获得的全部显微镜图像的每一个，基于通过所述蚀刻形成的蚀刻坑的相连长度，判定有无缺陷密集部，将所述获得的全部显微镜图像分类为具有所述缺陷密集部的显像镜图像与不具有所述缺陷密集部的显微镜图像，评价所述碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷的密集状态。由此，提供能够轻易且简便地进行碳化硅单晶晶圆面内的结晶缺陷的密集部的评价的碳化硅单晶晶圆的结晶缺陷评价方法。
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