公开(公告)号：CN1806313A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016820.4

申请日：2004-06-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  岛崎雅广

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

Abstract: 定义允许衬底的主平面MP的法线矢量α和在填充有填充外延层的沟槽11的纵向上的内壁平面的法线矢量β以最小旋转角度交迭的角度范围作为过渡平面法线角度范围θ，并假设包括在沟槽的纵向上的开口边缘的区域作为在其上法线矢量在过渡平面法线角度范围θ内连续改变的过渡平面区域。然后确定衬底的主平面MP的密勒指数(h1k1l1)和在沟槽的纵向上的内壁平面WP的密勒指数(h2k2l2)，以使平面{111}的法线矢量落在过渡平面法线角度范围θ之外。这提供了一种制造硅外延晶片的方法，使得几乎不可能因为填充外延层的过剩生长而引起沟槽开口的窄化，并因此使得甚至在大的沟槽纵横比下也可以有效抑制沟槽内的填充外延层中的残留空隙。

公开(公告)号：CN100428411C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200480016820.4

申请日：2004-06-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 ,  岛崎雅广

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634

Abstract: 定义允许衬底的主平面MP的法线矢量α和在填充有填充外延层的沟槽11的纵向上的内壁平面的法线矢量β以最小旋转角度交迭的角度范围作为过渡平面法线角度范围θ，并假设包括在沟槽的纵向上的开口边缘的区域作为在其上法线矢量在过渡平面法线角度范围θ内连续改变的过渡平面区域。然后确定衬底的主平面MP的密勒指数(h1k1l1)和在沟槽的纵向上的内壁平面WP的密勒指数(h2k2l2)，以使平面{111}的法线矢量落在过渡平面法线角度范围θ之外。这提供了一种制造硅外延晶片的方法，使得几乎不可能因为填充外延层的过剩生长而引起沟槽开口的窄化，并因此使得甚至在大的沟槽纵横比下也可以有效抑制沟槽内的填充外延层中的残留空隙。