公开(公告)号：CN118120047A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280067456.2

申请日：2022-06-29

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  信越工程株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  小嶋宗之

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明为一种成膜装置，其特征在于，具备：将原料溶液雾化从而产生原料雾的雾化手段；运送所述原料雾的载气供给手段；将混合所述原料雾与所述载气而成的混合气体供给至基体表面的雾供给手段；载置所述基体的载台；加热所述基体的加热手段；及已直接或间接地管线连接于所述载台的排气手段。由此，提供一种能够稳定地且以高生产率将结晶取向性良好的结晶性半导体膜成膜的成膜装置及结晶性半导体膜的成膜方法。

公开(公告)号：CN113243043B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980082989.6

申请日：2019-11-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明为一种层叠体，其包含晶体基板与半导体膜，所述半导体膜设置在该晶体基板的主表面上，且含有掺杂剂并包含具有刚玉结构的氧化物半导体作为主要成分，所述氧化物半导体中所包含的Si浓度为5.0×1020cm‑3以下，所述半导体膜的电阻率为150mΩ·cm以下。由此，可提供一种层叠体，该层叠体包含适于半导体器件用途的低电阻的具有刚玉结构的半导体。

公开(公告)号：CN112771651B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201980060388.5

申请日：2019-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋

IPC: H01L21/365 ,  H10D30/01 ,  H01L21/368 ,  H10D30/47 ,  H10D30/60 ,  H10D30/87 ,  H10D8/60 ,  H10H20/815 ,  H10H20/822 ,  H10D62/80 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明提供一种层叠体，其具有：晶体衬底；形成在该晶体衬底的主表面上且混合存在有以第一金属氧化物作为主成分的由刚玉型结构构成的结晶相的结晶区与非晶相的非晶区的中间层；及形成在该中间层上的以第二金属氧化物作为主成分的刚玉型结构的晶体层。由此能够提供一种具有充分抑制了晶体缺陷的高品质刚玉型结构的晶体的层叠体。

公开(公告)号：CN117321256A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280030633.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  坂爪崇寛

IPC: C30B29/16

Abstract: 本发明是一种层叠结构体，其特征在于包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，提供包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体以及所述层叠结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN116157550A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180057772.7

申请日：2021-06-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明为一种半导体层叠体，其至少包括基体、缓冲层及至少包含一种金属元素的具有刚玉结构的结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体在所述基体的主表面上直接或隔着其他层具有所述缓冲层、在所述缓冲层上具有所述结晶性金属氧化物半导体膜，所述半导体层叠体的特征在于，所述缓冲层为组成各自不同的多层缓冲膜的层叠结构体，所述多层缓冲膜中至少有两层缓冲膜的膜厚为200nm以上650nm以下。由此，可提供即使通过异质外延生长而形成时，也具有结晶缺陷、翘曲及裂纹被抑制的高品质的刚玉型结晶性金属氧化物半导体膜的半导体层叠体。

公开(公告)号：CN115777029A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202180045862.4

申请日：2021-06-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  高知县公立大学法人

Inventor： 桥上洋 ,  渡部武纪 ,  坂爪崇宽 ,  川原村敏幸 ,  邓太江 ,  安冈龙哉

IPC: C23C16/448

Abstract: 本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。

公开(公告)号：CN110100317B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201680090730.2

申请日：2016-12-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  桥上洋 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18

Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元，其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极，其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下，杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造，可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。

公开(公告)号：CN109906515A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201680090416.4

申请日：2016-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明是太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成射极层的步骤，在射极层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去扩散屏蔽的部位，形成基底层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN103155163B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180035025.X

申请日：2011-07-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  高桥光人 ,  桥上洋 ,  村上贵志 ,  月形信太郎 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，对半导体基板，在电极形成工序之前实施退火工序。根据本发明，通过如上所述实施退火，能够不损害可靠性和外观，改善太阳能电池的电气特性。因此，可以广泛地利用于具有高电气特性和可靠性的太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN103329279A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065726.8

申请日：2011-12-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  石川直挥 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池，其特征在于，具有：以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极，上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接，根据本发明，通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留，从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少，改善短路电流、开路电压，提高太阳能电池特性。此外，工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现，对于成本削减极其有效。