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公开(公告)号：CN118120047A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280067456.2
申请日：2022-06-29
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越工程株式会社
IPC: H01L21/365 , H01L21/368
Abstract: 本发明为一种成膜装置，其特征在于，具备：将原料溶液雾化从而产生原料雾的雾化手段；运送所述原料雾的载气供给手段；将混合所述原料雾与所述载气而成的混合气体供给至基体表面的雾供给手段；载置所述基体的载台；加热所述基体的加热手段；及已直接或间接地管线连接于所述载台的排气手段。由此，提供一种能够稳定地且以高生产率将结晶取向性良好的结晶性半导体膜成膜的成膜装置及结晶性半导体膜的成膜方法。
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