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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102728108A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210188936.2
申请日：2012-04-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: B01D19/04
CPC classification number: B01D19/0409 , C11D9/36 , G01N24/087
Abstract: 一种用于消泡的油配混物，其包含：(A)在25℃下具有10-100,000mm2/s粘度的基本疏水的有机基聚硅氧烷，和(B)经过表面疏水化处理的细分的二氧化硅，其中当通过使用己烷从油配混物中收集不溶性物质，并通过29Si-CP/MAS-NMR测量不溶性物质的频谱时，归于二氧化硅表面上的SiO4/2(Q)单元的峰使得总面积(Q2+Q3)和Q4面积之间的比[(Q2+Q3)/Q4]是70/30到20/80，其中Q2是具有两个未反应硅烷醇基的硅原子的峰面积，Q3是具有一个未反应硅烷醇基团的硅原子的峰面积，和其中Q4是不具有未反应硅烷醇基的硅原子的峰面积。
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公开(公告)号：CN106659950A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580040687.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及消泡剂用油复配物，其含有(A)有机聚硅氧烷、(B)微粉末二氧化硅、(C)式(I)和/或(II)的有机聚硅氧烷所示的基团[c、d、e为0以上的整数。其中，X1～X3中的至少1个为由式(i)表示的基团]，使用(C)成分作为(B)成分的表面处理剂，根据本发明，能够得到即使在碱性的发泡液中也给予良好的初期消泡性、特别是经时的性能降低也小、消泡性能也优异的有机硅系消泡剂组合物。
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公开(公告)号：CN105008278A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010278.5
申请日：2014-01-30
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C01B32/956 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。
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公开(公告)号：CN106659950B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201580040687.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及消泡剂用油复配物，其含有(A)有机聚硅氧烷、(B)微粉末二氧化硅、(C)式(I)和/或(II)的有机聚硅氧烷所示的基团[c、d、e为0以上的整数。其中，X1～X3中的至少1个为由式(i)表示的基团]，使用(C)成分作为(B)成分的表面处理剂，根据本发明，能够得到即使在碱性的发泡液中也给予良好的初期消泡性、特别是经时的性能降低也小、消泡性能也优异的有机硅系消泡剂组合物。
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公开(公告)号：CN102728108B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210188936.2
申请日：2012-04-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: B01D19/04
CPC classification number: B01D19/0409 , C11D9/36 , G01N24/087
Abstract: 一种用于消泡的油配混物，其包含：(A)在25℃下具有10-100,000mm2/s粘度的基本疏水的有机基聚硅氧烷，和(B)经过表面疏水化处理的细分的二氧化硅，其中当通过使用己烷从油配混物中收集不溶性物质，并通过29Si-CP/MAS-NMR测量不溶性物质的频谱时，归于二氧化硅表面上的SiO4/2(Q)单元的峰使得总面积(Q2+Q3)和Q4面积之间的比[(Q2+Q3)/Q4]是70/30到20/80，其中Q2是具有两个未反应硅烷醇基的硅原子的峰面积，Q3是具有一个未反应硅烷醇基团的硅原子的峰面积，和其中Q4是不具有未反应硅烷醇基的硅原子的峰面积。
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