公开(公告)号：CN103477207B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201280016408.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 冈田淳一 ,  小林幸一 ,  久米史高

IPC: G01N21/3563

CPC classification number: G01J3/42 ,  G01N21/274 ,  G01N21/3563

Abstract: 本发明提供一种能够简易简便地测定多晶硅棒中所希望位置的代位碳杂质的大致浓度的方法。从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度。使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，在与制作校准曲线时相同的条件下，求出镜面磨削后的板状多晶硅的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，在不进行厚度修正的情况下求出代位碳浓度。

公开(公告)号：CN103477207A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280016408.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 冈田淳一 ,  小林幸一 ,  久米史高

IPC: G01N21/35

CPC classification number: G01J3/42 ,  G01N21/274 ,  G01N21/3563

Abstract: 本发明提供一种能够简易简便地测定多晶硅棒中所希望位置的代位碳杂质的大致浓度的方法。从多晶硅棒切出板状多晶硅，对该板状多晶硅的两表面进行镜面磨削，形成2.12±0.01mm的厚度。使用代位碳浓度已知的厚度为2.00±0.01mm的单晶硅标准试样，根据采用红外吸收分光光度法的标准测定法制作校准曲线，在与制作校准曲线时相同的条件下，求出镜面磨削后的板状多晶硅的包含代位碳的吸收带峰的波数区域的红外吸收光谱，在不进行厚度修正的情况下求出代位碳浓度。