公开(公告)号：CN1248292C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02124062.0

申请日：2002-06-18

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  冯震 ,  王民娟 ,  李岚 ,  周瑞 ,  张雄文 ,  吴阿惠 ,  张务永 ,  焦艮平 ,  邢东

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法，它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备，采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程，制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心，达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻，降低了工艺难度和降低了加工成本，同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压，又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率，大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造，可推广应用。

公开(公告)号：CN1110065C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN00105221.7

申请日：2000-04-05

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  宋力波 ,  王同祥 ,  冯震

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套刻，剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅，栅长最小可达0.1μm，降低了制版精度、光刻难度和加工成本，特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产，可推广应用。

公开(公告)号：CN1273434A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00105221.7

申请日：2000-04-05

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  宋力波 ,  王同祥 ,  冯震

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套刻,剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅,栅长最小可达0.1μm,降低了制版精度、光刻难度和加工成本,特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产,可推广应用。

公开(公告)号：CN1383190A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02124062.0

申请日：2002-06-18

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  冯震 ,  王民娟 ,  李岚 ,  周瑞 ,  张雄文 ,  吴阿惠 ,  张务永 ,  焦艮平 ,  邢东

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心,达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻,降低了工艺难度和降低了加工成本,同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压,又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率,大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造,可推广应用。