公开(公告)号：CN1383190A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02124062.0

申请日：2002-06-18

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  冯震 ,  王民娟 ,  李岚 ,  周瑞 ,  张雄文 ,  吴阿惠 ,  张务永 ,  焦艮平 ,  邢东

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心,达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻,降低了工艺难度和降低了加工成本,同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压,又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率,大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造,可推广应用。

公开(公告)号：CN1248292C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02124062.0

申请日：2002-06-18

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  冯震 ,  王民娟 ,  李岚 ,  周瑞 ,  张雄文 ,  吴阿惠 ,  张务永 ,  焦艮平 ,  邢东

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N+凹槽自对准加工方法，它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备，采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程，制造得到栅凹槽自动位于N+凹槽的中心，达到栅凹槽与N+凹槽二者自对准的加工目的。使常规工艺流程中两次光刻、套刻对准简化为一次光刻，降低了工艺难度和降低了加工成本，同时提高了成品率。本发明既能保证半导体器件有较高的击穿电压，又能保证半导体器件有较高的增益、输出功率和工作频率，大大提高了器件的性能。特别适用于大圆片半导体器件的生产制造，可推广应用。