公开(公告)号：CN1110065C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN00105221.7

申请日：2000-04-05

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  宋力波 ,  王同祥 ,  冯震

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套刻，剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅，栅长最小可达0.1μm，降低了制版精度、光刻难度和加工成本，特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产，可推广应用。

公开(公告)号：CN1273434A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN00105221.7

申请日：2000-04-05

Applicant: 信息产业部电子第十三研究所

Inventor： 丁奎章 ,  宋力波 ,  王同祥 ,  冯震

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套刻,剥离后获得栅帽与栅足自对准、左右对称的T形栅,栅长最小可达0.1μm,降低了制版精度、光刻难度和加工成本,特别适合2英寸以上大圆片半导体器件研制生产,可推广应用。