公开(公告)号：CN101667555B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200910175121.9

申请日：2006-12-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 寺崎敦则 ,  关淳一 ,  田中一郎

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法，其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件，并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后，通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

公开(公告)号：CN100552916C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610164091.8

申请日：2006-12-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 寺崎敦则 ,  关淳一 ,  田中一郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法，其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件，并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后，通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

公开(公告)号：CN101667555A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910175121.9

申请日：2006-12-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 寺崎敦则 ,  关淳一 ,  田中一郎

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法，其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件，并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后，通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。

公开(公告)号：CN1979803A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164091.8

申请日：2006-12-07

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 寺崎敦则 ,  关淳一 ,  田中一郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法，其中很容易控制布线沟槽和通孔在深度方向上的长度。在衬底上制备具有第一绝缘膜的部件，并在上述第一绝缘膜上设置一层。在上述的层上压印具有图形的模型，以便形成具有布线沟槽和第一通孔的第二绝缘膜，该图形对应于布线沟槽和第一通孔。之后，通过使用上述的第二绝缘膜作为掩模蚀刻上述的第一绝缘膜，以便在第一绝缘膜中形成连接到第一通孔的第二通孔。