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公开(公告)号:CN1265469C
公开(公告)日:2006-07-19
申请号:CN200310120522.7
申请日:2003-12-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/18 , B32B37/00
CPC classification number: H01L31/18 , B32B37/0046 , B32B37/08 , B32B37/10 , B32B37/1009 , B32B37/1018 , B32B38/004 , B32B2309/02 , B32B2309/04 , B32B2310/022 , B32B2398/10 , B32B2457/12 , H01L31/048 , Y02E10/50 , Y10T156/16
Abstract: 提供一种太阳能电池组件的制造方法,其中包括:把被层叠体放在板状构件上的工序,把被层叠体与板状构件一起搬入加热并保持的放置盘上的工序,靠膨胀机构压紧被层叠体并进行加热压接的工序,使膨胀机构离开被层叠体、把被层叠体与板状构件一起从放置盘上搬出的工序,以及把被层叠体从板状构件分离的工序。借此,被层叠体的温度不会急剧地上升,可以抑制发泡现象而成品率高的生产太阳能电池组件。
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公开(公告)号:CN1540771A
公开(公告)日:2004-10-27
申请号:CN200410032947.7
申请日:2004-04-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种太阳能电池模块和太阳能电池模块阵列。该太阳能电池模块至少包括:太阳能电池元件和在最表面上配置的覆盖上述太阳能电池元件的光入射面侧的表面部件,且上述表面部件由其光入射面被放电处理过的氟化物聚合物膜构成。由此,即使在屋外长期设置也不容易被污染,结果可以抑制因污物导致的入射光减少造成的输出下降。
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公开(公告)号:CN1161844C
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN96112448.2
申请日:1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: B32B17/067 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/0481 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池组件, 包括一太阳能电池单元和至少一个位于所述太阳能电池单元的光接收表面上的表面覆盖材料,所述表面覆盖材料包括至少一填料,一无纺玻璃纤维部件和一表面保护膜,其中所述无纺玻璃纤维部件具有一用丙烯酸类树脂粘合的结构或用硅烷偶合剂进行处理。
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公开(公告)号:CN1145220C
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN97122861.2
申请日:1997-10-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0203 , H01L31/048
CPC classification number: E04D13/17 , B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/048 , H01L31/049 , H02S20/23 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 按下面设置的太阳能电池组件,其光伏元件至少由密封树脂和表面保护薄膜覆盖,其中所说表面保护薄膜在25℃/90%RH下的氧透过率不小于1cc/m2.24hr.atm,也不大于50cc/m2.24hr.atm。由此提供高可靠性的太阳能电池组件,其密封树脂不退化,特别是在长期户外使用时也不发黄。
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公开(公告)号:CN1082726C
公开(公告)日:2002-04-10
申请号:CN96112255.2
申请日:1996-07-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B32B17/04 , B32B17/10788 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 一种制造半导体器件的方法,该方法是通过在减压条件下对由置于表面部件与背面部件之间的半导体部件和密封树脂构成的层压制品进行热加压粘接来进行的,所说方法包含下面步骤:(a)对所说叠层制品抽真空,(b)将真空处理过的叠层制品在5Torr以下真空度下进行热加压粘接,和(c)在所说步骤(b)过程中,对已经进行过热加压粘接的叠层制品进行冷却。
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公开(公告)号:CN1280393A
公开(公告)日:2001-01-17
申请号:CN00124243.1
申请日:2000-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/042
CPC classification number: B32B17/10678 , B32B17/10743 , H01L31/0445 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H02S20/23 , H02S20/26 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池组件包括光生伏打元件,光生伏打元件的光接收表面和/或非光接收表面由有机聚合物树脂层密封,其中在至少一个有机聚合物树脂层含有特定的乙烯-不饱和脂肪酸酯-不饱和脂肪酸三元共聚物时,可以提供具有优异耐气候性、耐热性和耐湿性和优异光电转换效率、并可以长期保持稳定的太阳能电池性能的太阳能电池组件。
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公开(公告)号:CN1228614A
公开(公告)日:1999-09-15
申请号:CN99103096.6
申请日:1999-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L23/28 , H01L21/56 , H01L31/0203 , H01L31/048
CPC classification number: H01L23/3107 , B32B17/04 , B32B17/10678 , B32B17/10788 , H01L23/293 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种用于半导体的密封树脂,即使较少量的添加剂也能有效地起作用。用于半导体的密封树脂的特征在于添加剂在密封树脂构件的厚度方向上有浓度梯度。具体地,通过层叠至少两种类型含有不同含量的添加剂的有机聚合物树脂形成密封树脂或通过向密封树脂施加电场以影响密封树脂中极性添加剂的电泳,在密封树脂的厚度方向上形成添加剂的浓度梯度。
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公开(公告)号:CN1195201A
公开(公告)日:1998-10-07
申请号:CN98107701.3
申请日:1998-02-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0203 , H01L31/048
CPC classification number: H02S20/23 , H01L31/048 , Y02B10/12 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的太阳能电池组件包括在支撑部件和保护膜之间用密封材料密封的太阳能电池器件,其中,至少保护膜和密封材料中的一个覆盖支撑部件的边缘。上述结构能防止密封材料从太阳能电池组件的边缘剥离。并且,在支撑部件是钢片时,还能防止边缘生锈。而且,能通过使用用于防止剥离的常规保护部件的情况更简单的步骤防止剥离。
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公开(公告)号:CN1113349A
公开(公告)日:1995-12-13
申请号:CN94116834.4
申请日:1994-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L31/049 , Y02E10/50 , Y10T428/31554
Abstract: 一种光电转换装置,包括一个由一个基底、一个光电转换层以及至少一对配置在所述基底上的电极组成的光电转换元件、一个由含氟聚物树脂构成的透明的树脂层;以及一个透明的表面层,所述的透明的树脂层被设置在所述光电转换元件层和所述的透明表面层之间,其特征在于所述含氟聚合物树脂的含氟量为20重量%至40重量%,并且该树脂用过氧化物进行过交联处理,和一种含光电转换元件的光电转换组件。
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公开(公告)号:CN103165532B
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201210524717.7
申请日:2012-12-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , G02F1/133 , G02F1/133351 , H01L21/56 , H01L51/0002 , H01L51/0096 , H01L51/56 , H01L2251/566 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。提供具有质量优异的切割部分的半导体元件的制造方法,该方法使得切割所需的硅基板上的区域最小化,并且该方法防止在实施通过切片进行的切割时使用的切割水进入半导体元件。该半导体元件的制造方法包括:在硅基板上布置多个半导体元件部分以使其彼此相邻;使用树脂将硅基板与玻璃基板接合在一起;和在设置了树脂的区域中分别切割硅基板和玻璃基板,切割硅基板和玻璃基板包含:通过切片半切割硅基板;通过刻划切割玻璃基板;以及分割硅基板、玻璃基板和树脂。
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