公开(公告)号：CN102668080A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080058403.1

申请日：2010-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小林昌弘 ,  板桥政次 ,  札场哲也 ,  小林秀央

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；被设置在光入射的半导体基板的第一主表面侧的第一平坦化层；被设置在第一平坦化层上并包含各对于相应的光电转换单元设置的滤色器的滤色器层；以及被设置在滤色器层上用于减小滤色器之间的高度差的第二平坦化层。在所述固态图像拾取装置中，间隙被设置在与滤色器层中的邻近滤色器之间的边界对应的位置中，间隙延伸到第二平坦化层，并且用于密封间隙的密封层被设置在间隙和第二平坦化层上。

公开(公告)号：CN102668080B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201080058403.1

申请日：2010-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小林昌弘 ,  板桥政次 ,  札场哲也 ,  小林秀央

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627

Abstract: 本发明提供一种固态图像拾取装置，所述固态图像拾取装置包括：被设置在半导体基板中的多个光电转换单元；被设置在光入射的半导体基板的第一主表面侧的第一平坦化层；被设置在第一平坦化层上并包含各对于相应的光电转换单元设置的滤色器的滤色器层；以及被设置在滤色器层上用于减小滤色器之间的高度差的第二平坦化层。在所述固态图像拾取装置中，间隙被设置在与滤色器层中的邻近滤色器之间的边界对应的位置中，间隙延伸到第二平坦化层，并且用于密封间隙的密封层被设置在间隙和第二平坦化层上。

公开(公告)号：CN102630343B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201080054061.6

申请日：2010-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板桥政次 ,  小林昌弘 ,  小林秀央 ,  札场哲也 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14683

Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。

公开(公告)号：CN102630343A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080054061.6

申请日：2010-11-29

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  板桥政次 ,  小林昌弘 ,  小林秀央 ,  札场哲也 ,  市川武史

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14683

Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置是包括分别具有光电转换部分的多个像素的背侧照明型固态图像拾取装置。收集空穴的p型半导体区域（110）被设置在PD基板（101）的前侧。n型半导体区域（119）在PD基板（101）的背侧被设置在p型半导体区域（110）下面。n型半导体区域（119）包含砷作为主要杂质。光电转换部分包含p型半导体区域（110）和n型半导体区域（119）。