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公开(公告)号：CN115697614A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038999.7
申请日：2021-05-25
申请人： 国立大学法人东北大学 , 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： B23K20/00
摘要： 本发明涉及原子扩散接合法及接合结构体。利用形成于接合面的由氮化物构成的接合膜进行原子扩散接合。在真空容器内，在具有平滑面的2个基体各自的所述平滑面上形成由氮化物构成的接合膜，并且以形成于所述2个基体的所述接合膜彼此接触的方式使所述2个基体重叠，从而在所述接合膜的接合界面产生原子扩散，由此将所述2个基体接合。
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公开(公告)号：CN115443203B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280003691.3
申请日：2022-02-07
申请人： 佳能安内华股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
摘要： 将作为接合对象物的基体经由形成于该基体的接合面的由氧化物构成的接合膜在大气中接合。将接合膜形成于具有成为接合面的平滑面的2个基体的各自的所述平滑面，所述接合膜是通过真空成膜而形成的、至少表面被氧化的金属或半导体的薄膜，将该接合膜暴露于具有水分的空间，使该接合膜的表面亲水化，并且以该接合膜的表面彼此接触的方式使2个所述基体在大气中重叠。由此，在接合界面产生化学结合，将2个基体在大气中接合。通过对接合的基体根据需要在例如400℃以下的温度下加热，能够提高接合强度γ。该接合法也能够应用于用于器件的三维集成化的混合接合。
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公开(公告)号：CN114207781A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054695.5
申请日：2020-09-03
申请人： 国立大学法人东北大学 , 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/18
摘要： 本发明涉及通过由形成于接合面的氧化物构成的接合膜进行化学键合。在真空容器内，在具有平滑面的2个基体各自的所述平滑面上形成非晶氧化物薄膜，并且以形成于所述2个基体上的所述非晶氧化物薄膜彼此接触的方式重叠所述2个基体，由此在所述非晶氧化物薄膜的接合界面产生伴随原子扩散的化学键而将所述2个基体接合。
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公开(公告)号：CN115443203A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202280003691.3
申请日：2022-02-07
申请人： 佳能安内华股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
摘要： 将作为接合对象物的基体经由形成于该基体的接合面的由氧化物构成的接合膜在大气中接合。将接合膜形成于具有成为接合面的平滑面的2个基体的各自的所述平滑面，所述接合膜是通过真空成膜而形成的、至少表面被氧化的金属或半导体的薄膜，将该接合膜暴露于具有水分的空间，使该接合膜的表面亲水化，并且以该接合膜的表面彼此接触的方式使2个所述基体在大气中重叠。由此，在接合界面产生化学结合，将2个基体在大气中接合。通过对接合的基体根据需要在例如400℃以下的温度下加热，能够提高接合强度γ。该接合法也能够应用于用于器件的三维集成化的混合接合。
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公开(公告)号：CN101297060A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680039908.7
申请日：2006-10-10
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： H01J37/3266 , C23C14/081 , C23C14/32 , H01J37/32357 , H01J37/32623
摘要： 本发明提供一种片状等离子体发生装置和使用它的成膜方法和成膜装置，能够扩大成膜面积并可使膜厚分布更为均匀。在使从等离子体枪由集束线圈引出的等离子体束通过由在与等离子体束的行进方向垂直的方向上延伸、对置且互相平行地配置而成对的永磁体构成的片化磁体形成的磁场之中而变形为片状的片状等离子体发生装置中，片化磁体包括至少一个与等离子体束的中心侧对应的部分中的排斥磁场强度比与等离子体束的外缘侧对应的部分中的排斥磁场强度更强的片化磁体。
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公开(公告)号：CN110800379A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042506.5
申请日：2018-06-26
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H05H1/46 , C23C14/34 , H01L21/3065
摘要： 等离子体处理装置包括：巴伦，具有第一不平衡端子、第二不平衡端子、第一平衡端子和第二平衡端子；被接地的真空容器；第一电极，被电连接至第一平衡端子；第二电极，被电连接至第二平衡端子；以及接地电极，被布置在真空容器中并被接地。
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公开(公告)号：CN101490304A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780025754.0
申请日：2007-07-04
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： C23C14/32 , G02F1/1343
CPC分类号： C23C14/081 , C23C14/28 , C23C14/46
摘要： 一种等离子体成膜装置，具有发射等离子体束的等离子体枪、和施加磁场到从等离子体枪发射的等离子体束以将等离子体束的束截面变形成几乎矩形或椭圆形的形状的磁体，所述等离子体成膜装置包括多个磁体单元，所述多个磁体单元偏转其束截面被变形的等离子体束，以用偏转的等离子体束照射照射靶。要被布置在照射靶的表面的下后侧的第一磁体和具有与第一磁体的磁极相同的磁极的第二磁极被布置在每一个磁体单元中。第一磁体和第二磁体排列成彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN110800379B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201880042506.5
申请日：2018-06-26
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H05H1/46 , C23C14/34 , H01L21/3065
摘要： 等离子体处理装置包括：巴伦，具有第一不平衡端子、第二不平衡端子、第一平衡端子和第二平衡端子；被接地的真空容器；第一电极，被电连接至第一平衡端子；第二电极，被电连接至第二平衡端子；以及接地电极，被布置在真空容器中并被接地。
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