覆铜层叠板
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110740567B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN201910640428.5

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)中的利用化学研磨进行减膜后残存的残存部(23)中包含作为杂质含有氯的高氯浓度层(21)。残存部(23)的厚度例如为0.4~0.8μm。高氯浓度层(21)的氯浓度优选为1×1019原子/cm3以上。

    覆铜层叠板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110740568B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201910640844.5

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够使化学研磨后的镀铜被膜的表面光滑的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)的结晶粒的平均粒径为300nm以下。优选镀铜被膜(20)是氯浓度高的高氯浓度层(21)和氯浓度低的低氯浓度层(22)交替地层叠的结构。

    覆铜层叠板
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110740579B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910640432.1

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)的厚度方向的氯浓度分布包含复数个山形的局部分布。优选局部分布的峰处的氯浓度为2×1019原子/cm3以上。优选局部分布的半峰全宽比与相邻的局部分布的峰间隔的一半窄。

    覆铜层叠板
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110740579A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910640432.1

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)的厚度方向的氯浓度分布包含复数个山形的局部分布。优选局部分布的峰处的氯浓度为2×1019原子/cm3以上。优选局部分布的半峰全宽比与相邻的局部分布的峰间隔的一半窄。

    导电性基板
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108027688B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201680055702.7

    申请日:2016-09-26

    Inventor: 渡边智治

    Abstract: 提供一种导电性基板,具有:透明基材;金属层,形成在所述透明基材的至少一个表面上;及黑化层,形成在所述透明基材的至少一个表面上。所述黑化层含有铜的单质和化合物以及鎳的单质和/或化合物。所述铜的化合物包含铜氧化物和铜氢氧化物。对所述黑化层采用X线光电子分光法进行了测定时,在使用Cu 2P3/2光谱和Cu LMM光谱所求得的铜氧化物的峰面积和铜氢氧化物的峰面积之和为100的情况下,所述铜氧化物的峰面积为40以上,所述铜氢氧化物的峰面积为60以下。

    覆铜层叠板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110740580A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910640843.0

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)是由氯浓度高的高氯浓度层(21)和氯浓度低的低氯浓度层(22)交替地层叠而成。高氯浓度层(21)的氯浓度优选为1×1019原子/cm3以上。低氯浓度层(22)的氯浓度优选小于1×1019原子/cm3。

    覆铜层叠板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110740567A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910640428.5

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)中的利用化学研磨进行减膜后残存的残存部(23)中包含作为杂质含有氯的高氯浓度层(21)。残存部(23)的厚度例如为0.4~0.8μm。高氯浓度层(21)的氯浓度优选为1×1019原子/cm3以上。

    覆铜层叠板
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110740580B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN201910640843.0

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制化学研磨后的针孔的产生的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)的表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)是由氯浓度高的高氯浓度层(21)和氯浓度低的低氯浓度层(22)交替地层叠而成。高氯浓度层(21)的氯浓度优选为1×1019原子/cm3以上。低氯浓度层(22)的氯浓度优选小于1×1019原子/cm3。

    覆铜层叠板
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110740568A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910640844.5

    申请日:2019-07-16

    Abstract: 本发明提供一种能够使化学研磨后的镀铜被膜的表面光滑的覆铜层叠板。该覆铜层叠板(1)包括:基膜(11)、形成在基膜(11)的表面的金属层(12)、以及形成在金属层(12)表面且作为杂质含有氯的镀铜被膜(20)。镀铜被膜(20)的结晶粒的平均粒径为300nm以下。优选镀铜被膜(20)是氯浓度高的高氯浓度层(21)和氯浓度低的低氯浓度层(22)交替地层叠的结构。

    导电性基板
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108027688A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680055702.7

    申请日:2016-09-26

    Inventor: 渡边智治

    CPC classification number: B32B9/00 C23C14/06 C23C28/00 G06F3/041 H01B5/14

    Abstract: 提供一种导电性基板,具有:透明基材;金属层,形成在所述透明基材的至少一个表面上;及黑化层,形成在所述透明基材的至少一个表面上。所述黑化层含有铜的单质和化合物以及鎳的单质和/或化合物。所述铜的化合物包含铜氧化物和铜氢氧化物。对所述黑化层采用X线光电子分光法进行了测定时,在使用Cu 2P3/2光谱和Cu LMM光谱所求得的铜氧化物的峰面积和铜氢氧化物的峰面积之和为100的情况下,所述铜氧化物的峰面积为40以上,所述铜氢氧化物的峰面积为60以下。

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