公开(公告)号：CN113284799B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202110176037.X

申请日：2021-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 菅原健太 ,  寒川诚二 ,  大堀大介

IPC: H01L21/3065 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层，在产生蚀刻剂时，通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂，在选择性地去除第二氮化物层中，防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层，选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层，第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。

公开(公告)号：CN113284799A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110176037.X

申请日：2021-02-09

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 菅原健太 ,  寒川诚二 ,  大堀大介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法，半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层，在产生蚀刻剂时，通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂，在选择性地去除第二氮化物层中，防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层，选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层，第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。