公开(公告)号：CN101239450A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810008607.9

申请日：2008-01-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山雅博 ,  山崎哲弥

IPC: B24B29/00 ,  C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  B24B57/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 一种执行用作对GaAs晶片初步抛光操作的机械化学抛光的方法，该方法利用除水之外包含二氯异氰尿酸、三聚磷酸钠、硫酸钠、碳酸钠和硅胶作为组分的机械化学抛光溶液，该方法包括步骤：将该晶片安装在机械化学抛光设备上；通过供给所述抛光设备以具有第一成分抛光溶液来执行第一阶段抛光，在该第一成分中在除水之外的所述组分中包含20－31质量％的三聚磷酸钠；随后通过供给所述抛光设备以具有第二成分抛光溶液来执行第二阶段抛光，在该第二成分中在除水之外的所述组分中包含13－19质量％的三聚磷酸钠。

公开(公告)号：CN102696096A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060614.9

申请日：2010-12-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 目崎义雄 ,  山崎哲弥 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/08

CPC classification number: H01L21/02013 ,  B24B37/08 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 提供一种能够降低化合物半导体晶片的缺陷、破裂不良的研磨加工方法。本发明的化合物半导体晶片的加工方法对化合物半导体晶片的双面进行抛光加工，包括在上平台与下平台之间配置上述半导体晶片而进行抛光加工的工序，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。本发明的加工装置包括上平台和下平台，用于在上述上平台与下平台之间配置半导体晶片而对该半导体晶片的双面进行抛光加工，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软质材料。