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公开(公告)号：CN1467809A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03110439.8
申请日：2003-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/14
Abstract: 确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一C－V曲线30表示加于晶片20正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片20用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片20背面得出第二C－V曲线32。根据从所述第一C－V曲线30和第二C－V曲线32得出的电压漂移量34，对晶片20确定半导体电路元件的背栅特性。
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公开(公告)号：CN1332432C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03110439.8
申请日：2003-04-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L22/14
Abstract: 确定背栅特性的方法和装置用以减少制作背栅特性有缺陷的半导体电路元件。最初，得出第一C-V曲线(30)表示加于晶片(20)正面的电压与电容值之间的关系，其中所述晶片(20)用作半导体电路元件的衬底。继而，通过将电压加于晶片(20)背面得出第二C-V曲线(32)。根据从所述第一C-V曲线(30)和第二C-V曲线(32)得出的电压漂移量(34)，对晶片(20)确定半导体电路元件的背栅特性。
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公开(公告)号：CN1295772C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03800627.8
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法，以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(14、18)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。
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公开(公告)号：CN1547767A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03800627.8
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。
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