荧光体的制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102226085A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110100509.X

    申请日:2006-03-20

    Inventor: 广崎尚登

    CPC classification number: C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 本发明提供一种荧光体的制造方法,所述荧光体为在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体。所述方法包含将氮化硅粉末、氮化铝粉末和氧化铕粉末的混合物在氮气气氛中、在1820~2200℃的温度范围内进行烧成的烧成工序;所述混合物的比例由fSi3N4·gAlN·hEu2O3的摩尔组成式表示,且f、g和h满足f+g+h=1、0.04≤g≤0.14和0.002≤h≤0.006的关系式。

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