精炼的金属或准金属的制造方法

    公开(公告)号:CN102449201A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201080023062.4

    申请日:2010-05-24

    CPC classification number: C25C3/00 C01B33/037 C25B1/006 C25C3/34 C25C7/08

    Abstract: 本发明涉及精炼的金属或准金属的制造方法,该方法具备以下工序:电解工序,在设置于电解池内的电解浴中,以含有金属元素或准金属元素以及杂质的材料作为阳极;以含有与阳极中所含的金属元素或准金属元素同种的金属元素或准金属元素、和实质上不与金属元素或准金属元素形成固溶体的溶剂金属,并具有比金属元素或准金属元素的熔点低的完全凝固温度的合金作为阴极发挥作用,在合金可形成液相的电解温度下进行电解,由此使阳极中的金属元素或准金属元素向阴极的合金中移动;取出工序,然后将阴极的合金的一部分或全部取出到电解池外;析出工序,在比完全凝固温度高且比电解温度低的温度下,将取出的合金冷却,由此使合金中所含的金属元素或准金属元素析出;和回收工序,从冷却的合金中回收析出的金属元素或准金属元素。

    制造硅的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101454244B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200780019447.1

    申请日:2007-05-25

    Abstract: 公开了一种低成本制造高纯度硅的新方法。特别是公开了一种低成本制造适用作太阳能电池原料的高纯度硅的新方法。具体而言,公开了一种制造硅的方法,其中二氧化硅在电解容器中进行熔盐电解,所述的方法顺序包括下面的步骤,步骤(1)其中通过使用含硅合金作为阴极并进行电解来提高该含硅合金(其在电解温度时为液相)中的硅含量;步骤(2)其中在达到硅在电解温度开始沉淀的浓度之前,将阴极中的含硅合金从电解容器中取出;步骤(3)其中在高于低共熔点但低于电解温度的温度范围内通过冷却取出的含硅合金来固化硅;和步骤(4)其中收集固化的硅。

    制造硅的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101454244A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200780019447.1

    申请日:2007-05-25

    Abstract: 公开了一种低成本制造高纯度硅的新方法。特别是公开了一种低成本制造适用作太阳能电池原料的高纯度硅的新方法。具体而言,公开了一种制造硅的方法,其中二氧化硅在电解容器中进行熔盐电解,所述的方法顺序包括下面的步骤,步骤(1)其中通过使用含硅合金作为阴极并进行电解来提高该含硅合金(其在电解温度时为液相)中的硅含量;步骤(2)其中在达到硅在电解温度开始沉淀的浓度之前,将阴极中的含硅合金从电解容器中取出;步骤(3)其中在高于低共熔点但低于电解温度的温度范围内通过冷却取出的含硅合金来固化硅;和步骤(4)其中收集固化的硅。

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